પ્રશ્ન 1 [14 ગુણ]#
દસમાંથી કોઈપણ સાત પ્રશ્નોના જવાબ આપો.
પ્રશ્ન 1(1) [2 ગુણ]#
રેઝીસ્ટરની વ્યાખ્યા આપો અને તેનો એકમ જણાવો.
જવાબ: રેઝીસ્ટર એ એક ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટક છે જે વિદ્યુત પ્રવાહના પ્રવાહનો વિરોધ કરે છે. તેનો એકમ ઓહમ (Ω) છે.
કોષ્ટક: રેઝીસ્ટરના ગુણધર્મો
ગુણધર્મ | વર્ણન |
---|---|
સિમ્બોલ | ⏅ |
એકમ | ઓહમ (Ω) |
કાર્ય | પ્રવાહને મર્યાદિત કરે છે |
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “રેઝીસ્ટર્સ વિરોધ કરે પ્રવાહ” (ROP)
પ્રશ્ન 1(2) [2 ગુણ]#
એક્ટીવ અને પેસીવ કમ્પોનન્ટના બે-બે ઉદાહરણ આપો.
જવાબ:
કોષ્ટક: ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકોનું વર્ગીકરણ
એક્ટીવ કમ્પોનન્ટ્સ | પેસીવ કમ્પોનન્ટ્સ |
---|---|
1. ટ્રાન્ઝિસ્ટર | 1. રેઝીસ્ટર |
2. ડાયોડ | 2. કેપેસિટર |
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “TARD” - Transistors And Resistors Differ
પ્રશ્ન 1(3) [2 ગુણ]#
કોઈપણ બે અર્ધવાહક ઉપકરણોના સિમ્બોલ દોરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
graph TD subgraph "Diode" A[+] --- B["|<]----- C[-] end subgraph "NPN Transistor" D[C] --- E --- F[E] G[B] --- E end
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “ડાયોડ દિશા આપે, ટ્રાન્ઝિસ્ટર ટ્રાન્સફર કરે”
પ્રશ્ન 1(4) [2 ગુણ]#
ઈન્ટ્રીસીક અને એક્સટ્રીસીક અર્ધવાહક વચ્ચેનો તફાવત લખો.
જવાબ:
કોષ્ટક: ઈન્ટ્રીસીક વિરુદ્ધ એક્સટ્રીસીક અર્ધવાહક
ઈન્ટ્રીસીક | એક્સટ્રીસીક |
---|---|
અશુદ્ધિઓ વિનાના શુદ્ધ અર્ધવાહક | અશુદ્ધિઓ ઉમેરેલા અર્ધવાહક |
હોલ્સ અને ઇલેક્ટ્રોન્સની સંખ્યા સમાન | હોલ્સ અને ઇલેક્ટ્રોન્સની સંખ્યા અસમાન |
ઉદાહરણ: શુદ્ધ સિલિકોન, જર્મેનિયમ | ઉદાહરણ: ફોસ્ફરસ સાથે ડોપ કરેલ સિલિકોન |
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “શુદ્ધ ઈન, ડોપ્ડ એક્સ”
પ્રશ્ન 1(5) [2 ગુણ]#
LED નું આખું નામ _________________.
જવાબ: LED નું આખું નામ Light Emitting Diode છે.
આકૃતિ:
graph LR A[Light] --> B[Emitting] --> C[Diode] style A fill:#f96,stroke:#333 style B fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#f9f,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “પ્રકાશ ઉત્સર્જિત ડાયોડ” (LED)
પ્રશ્ન 1(6) [2 ગુણ]#
ફોટો ડાયોડના બે ઉપયોગો જણાવો.
જવાબ:
કોષ્ટક: ફોટો-ડાયોડના ઉપયોગો
ઉપયોગ | કેવી રીતે કામ કરે છે |
---|---|
પ્રકાશ સેન્સર | પ્રકાશને વિદ્યુત પ્રવાહમાં રૂપાંતરિત કરે છે |
ઓપ્ટિકલ કમ્યુનિકેશન | ફાઇબર ઓપ્ટિક્સમાં ઓપ્ટિકલ સિગ્નલ્સને શોધે છે |
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “પ્રકાશ સેન્સિંગ કમ્યુનિકેશન” (LSC)
પ્રશ્ન 1(7) [2 ગુણ]#
ટ્રાન્ઝિસ્ટરના પ્રકારોની યાદી બનાવો અને તેમના પ્રતીકો દોરો.
જવાબ:
ટ્રાન્ઝિસ્ટરના પ્રકારો:
- NPN ટ્રાન્ઝિસ્ટર
- PNP ટ્રાન્ઝિસ્ટર
આકૃતિ:
graph TD subgraph "NPN" A[C] --- B --- C[E] D[B] --- B end subgraph "PNP" E[E] --- F --- G[C] H[B] --- F end
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “Not Pointing iN, Pointing outP”
પ્રશ્ન 1(8) [2 ગુણ]#
જર્મેનિયમ અને સિલિકોન ડાયોડના ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપનું મૂલ્ય આપો.
જવાબ:
કોષ્ટક: ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ મૂલ્યો
ડાયોડનો પ્રકાર | ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ |
---|---|
જર્મેનિયમ | 0.3V |
સિલિકોન | 0.7V |
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “જર્મેનિયમ ત્રણ, સિલિકોન સાત” (0.3V, 0.7V)
પ્રશ્ન 1(9) [2 ગુણ]#
_________________ ડાયોડનો ઉપયોગ લાઇટ ડિટેક્ટર તરીકે થઈ શકે છે.
જવાબ: ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ લાઇટ ડિટેક્ટર તરીકે થઈ શકે છે.
આકૃતિ:
graph LR A[Light] -->|detected by| B[Photodiode] B -->|generates| C[Current] style A fill:#ff9,stroke:#333 style B fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#f96,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “ફોટો શોધે પ્રકાશ” (PDL)
પ્રશ્ન 1(10) [2 ગુણ]#
કોઈલના Q-factor ની વ્યાખ્યા લખો.
જવાબ: Q-factor (ક્વોલિટી ફેક્ટર) એ કોઈલના ઇન્ડક્ટિવ રિએક્ટન્સનો તેના રેઝિસ્ટન્સ સાથેનો ગુણોત્તર છે, જે સૂચવે છે કે તે કેટલી કાર્યક્ષમતાથી ઊર્જા સંગ્રહિત કરે છે.
કોષ્ટક: Q-Factor
પેરામીટર | વર્ણન |
---|---|
સૂત્ર | Q = XL/R |
ઉચ્ચ Q | સારી ગુણવત્તા, ઓછો ઊર્જા વ્યય |
નીચો Q | નબળી ગુણવત્તા, વધુ ઊર્જા વ્યય |
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “ગુણવત્તા બરાબર રિએક્ટન્સ વિભાજિત પ્રતિરોધ” (QRR)
પ્રશ્ન 2(અ) [3 ગુણ]#
રેઝીસ્ટરનો કલર કોડીંગ સમજાવો.
જવાબ:
રેઝીસ્ટર કલર કોડિંગ રંગીન પટ્ટીઓનો ઉપયોગ કરે છે જે પ્રતિરોધ મૂલ્ય અને ટોલરન્સ દર્શાવે છે.
કોષ્ટક: રેઝીસ્ટર કલર કોડ
રંગ | અંક | ગુણાંક |
---|---|---|
કાળો | 0 | 10⁰ |
બ્રાઉન | 1 | 10¹ |
લાલ | 2 | 10² |
નારંગી | 3 | 10³ |
પીળો | 4 | 10⁴ |
4-બેન્ડ રેઝિસ્ટર માટે:
- પ્રથમ બેન્ડ: પ્રથમ અંક
- બીજી બેન્ડ: બીજો અંક
- ત્રીજી બેન્ડ: ગુણાંક
- ચોથી બેન્ડ: ટોલરન્સ
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “Bad Boys Race Our Young Girls But Violet Generally Wins” (રંગોના ક્રમમાં: કાળો, બ્રાઉન, લાલ, નારંગી, પીળો, લીલો, વાદળી, જાંબલી, ગ્રે, સફેદ)
પ્રશ્ન 2(અ) અથવા [3 ગુણ]#
લાઈટ ડિપેન્ડન્ટ રેઝીસ્ટર તેની લાક્ષણિકતાઓ સાથે સમજાવો.
જવાબ:
LDR એક રેઝિસ્ટર છે જેનો પ્રતિરોધ પ્રકાશની તીવ્રતા વધે ત્યારે ઘટે છે.
LDR ની લાક્ષણિકતાઓ:
કોષ્ટક: LDR ગુણધર્મો
પેરામીટર | વર્તન |
---|---|
અંધારી સ્થિતિ | ઉચ્ચ પ્રતિરોધ (MΩ) |
પ્રકાશિત સ્થિતિ | નીચો પ્રતિરોધ (kΩ) |
પ્રતિસાદ સમય | થોડી મિલિસેકન્ડ |
આકૃતિ:
graph TD A[Increase Light] -->|Causes| B[Decrease Resistance] C[Decrease Light] -->|Causes| D[Increase Resistance] style A fill:#ff9,stroke:#333 style B fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#999,stroke:#333 style D fill:#f96,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “પ્રકાશ વધે, અવરોધ ઘટે” (LVAG)
પ્રશ્ન 2(બ) [3 ગુણ]#
કેપેસિટરનું વર્ગીકરણ વિગતવાર સમજાવો.
જવાબ:
કેપેસિટર્સને ડાયઇલેક્ટ્રિક મટીરિયલ અને બાંધકામના આધારે વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે.
કોષ્ટક: કેપેસિટર વર્ગીકરણ
પ્રકાર | ડાયઇલેક્ટ્રિક | ઉપયોગો |
---|---|---|
સિરામિક | સિરામિક | ઉચ્ચ આવૃત્તિ |
ઇલેક્ટ્રોલિટિક | એલ્યુમિનિયમ ઓક્સાઇડ | પાવર સપ્લાય |
પોલિએસ્ટર | પ્લાસ્ટિક ફિલ્મ | સામાન્ય હેતુ |
ટેન્ટલમ | ટેન્ટલમ ઓક્સાઇડ | નાના, ઉચ્ચ ક્ષમતા |
આકૃતિ:
graph TD A[Capacitors] --> B[Fixed] A --> C[Variable] B --> D[Ceramic] B --> E[Electrolytic] B --> F[Polyester/Film] C --> G[Air Gang] C --> H[Trimmer] style A fill:#f96,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “CEPT” (Ceramic, Electrolytic, Polyester, Tantalum)
પ્રશ્ન 2(બ) અથવા [3 ગુણ]#
ઈન્ડક્ટરનું વર્ગીકરણ વિગતવાર સમજાવો.
જવાબ:
ઇન્ડક્ટર્સને કોર સામગ્રી અને બાંધકામના આધારે વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે.
કોષ્ટક: ઇન્ડક્ટર વર્ગીકરણ
પ્રકાર | કોર | લાક્ષણિકતાઓ |
---|---|---|
એર કોર | હવા | ઓછો ઇન્ડક્ટન્સ, ઓછા નુકશાન |
આયર્ન કોર | લોખંડ | ઉચ્ચ ઇન્ડક્ટન્સ, ઉચ્ચ નુકશાન |
ફેરાઇટ કોર | ફેરાઇટ | મધ્યમ ઇન્ડક્ટન્સ, ઓછા નુકશાન |
ટોરોઇડલ | રિંગ આકારનું | ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા, ઓછું EMI |
આકૃતિ:
graph TD A[Inductors] --> B[Air Core] A --> C[Iron Core] A --> D[Ferrite Core] A --> E[Toroidal] style A fill:#9cf,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “હવા લોખંડ ફેરાઇટ ટોરોઇડ” (AIFT)
પ્રશ્ન 2(ક) [4 ગુણ]#
ફેરાડેનો ઈલેક્ટ્રોમેગ્નેટીક ઈન્ડક્શનના નિયમો લખો તથા સમજાવો.
જવાબ:
ફેરાડેનો પ્રથમ નિયમ: જ્યારે વાહક સાથે જોડાયેલ ચુંબકીય ક્ષેત્ર બદલાય છે, ત્યારે વાહકમાં EMF પ્રેરિત થાય છે.
ફેરાડેનો બીજો નિયમ: પ્રેરિત EMFનો પરિમાણ ચુંબકીય ફ્લક્સના પરિવર્તનના દરના સમપ્રમાણમાં હોય છે.
કોષ્ટક: ફેરાડેના નિયમોનો સારાંશ
નિયમ | વિધાન | સૂત્ર |
---|---|---|
પ્રથમ નિયમ | ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં ફેરફારથી EMF પ્રેરિત થાય છે | - |
બીજો નિયમ | EMF ∝ ફ્લક્સના પરિવર્તનનો દર | E = -N(dΦ/dt) |
આકૃતિ:
graph LR A[Moving Magnet] -->|Creates| B[Changing Magnetic Field] B -->|Induces| C[EMF in Conductor] style A fill:#f96,stroke:#333 style B fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#ff9,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “ચુંબકીય ક્ષેત્ર બદલાય, વિદ્યુત પ્રવાહ પેદા થાય” (CMFCEC)
પ્રશ્ન 2(ક) અથવા [4 ગુણ]#
કેપેસિટરના સ્પેસિફીકેશન લખો તથા કોઈ પણ બે વિગતવાર સમજાવો.
જવાબ:
કેપેસિટરના સ્પેસિફિકેશન:
- કેપેસિટન્સ મૂલ્ય
- વોલ્ટેજ રેટિંગ
- ટોલરન્સ
- લીકેજ કરંટ
- તાપમાન ગુણાંક
વિગતવાર સમજૂતી:
કેપેસિટન્સ મૂલ્ય: દર વોલ્ટ પર કેપેસિટર કેટલો ચાર્જ સંગ્રહિત કરી શકે છે, જે ફેરડ (F)માં માપવામાં આવે છે.
વોલ્ટેજ રેટિંગ: મહત્તમ વોલ્ટેજ જે કેપેસિટરને નુકસાન કર્યા વિના લાગુ કરી શકાય છે.
કોષ્ટક: કેપેસિટર સ્પેસિફિકેશન
સ્પેસિફિકેશન | વર્ણન | સામાન્ય મૂલ્યો |
---|---|---|
કેપેસિટન્સ | ચાર્જ સંગ્રહ ક્ષમતા | pF થી mF |
વોલ્ટેજ રેટિંગ | મહત્તમ સુરક્ષિત વોલ્ટેજ | 16V, 25V, 50V, વગેરે |
આકૃતિ:
graph TD A[Capacitor Specifications] --> B[Capacitance Value] A --> C[Voltage Rating] A --> D[Tolerance] A --> E[Leakage Current] A --> F[Temperature Coefficient] style A fill:#9cf,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “કેપેસિટર્સ વૉલ્ટેજ ટોલરન્ટ ઓફ લો ટેમ્પરેચર” (CVTLT)
પ્રશ્ન 2(ડ) [4 ગુણ]#
47Ω±5% માટે કલર કોડ લખો.
જવાબ:
47Ω±5% રેઝિસ્ટર માટે, કલર બેન્ડ્સ આ છે:
કોષ્ટક: 47Ω±5% માટે કલર બેન્ડ્સ
બેન્ડ | રંગ | રજૂ કરે છે |
---|---|---|
1લી બેન્ડ | પીળો | 4 |
2જી બેન્ડ | જાંબલી | 7 |
3જી બેન્ડ | કાળો | ×10⁰ |
4થી બેન્ડ | સોનેરી | ±5% |
આકૃતિ:
graph LR A[Yellow] -->|4| B[Violet] -->|7| C[Black] -->|×10⁰| D[Gold] -->|±5%| E[47Ω±5%] style A fill:#ff9,stroke:#333 style B fill:#f0f,stroke:#333 style C fill:#000,stroke:#fff style D fill:#fd0,stroke:#333 style E fill:#fff,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “પીળો જાંબલી કાળો સોનેરી” (રંગોનો ક્રમ)
પ્રશ્ન 2(ડ) અથવા [4 ગુણ]#
આપેલ કલર કોડ માટે રેઝીસ્ટરની કિંમત તથા ટોલરન્સ શોધો: Brown, Black, yellow.
જવાબ:
કોષ્ટક: Brown, Black, Yellow નું અર્થઘટન
બેન્ડ | રંગ | મૂલ્ય | અર્થ |
---|---|---|---|
1લી | બ્રાઉન | 1 | પ્રથમ અંક |
2જી | કાળો | 0 | બીજો અંક |
3જી | પીળો | 10⁴ | ગુણાંક |
ગણતરી: 1લો અંક: 1 2જો અંક: 0 ગુણાંક: 10⁴
મૂલ્ય = 10 × 10⁴ = 100,000Ω = 100kΩ
4થી બેન્ડનો અભાવ એટલે ±20% ટોલરન્સ
આકૃતિ:
graph LR A[Brown] -->|1| B[Black] -->|0| C[Yellow] -->|×10⁴| D[100kΩ ±20%] style A fill:#a52a2a,stroke:#333 style B fill:#000,stroke:#fff style C fill:#ff0,stroke:#333 style D fill:#fff,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “બ્રાઉન બ્લેક યલો” (BBY)
પ્રશ્ન 3(અ) [3 ગુણ]#
ડોપિંગની વ્યાખ્યા લખો. ડોપિંગથી બનતા અર્ધવાહકોના નામ તથા ઉદાહરણ આપો.
જવાબ:
ડોપિંગ એ શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં અશુદ્ધિઓ ઉમેરવાની પ્રક્રિયા છે જે તેના વિદ્યુત ગુણધર્મોને સંશોધિત કરે છે.
કોષ્ટક: ડોપ્ડ અર્ધવાહકો
પ્રકાર | ઉમેરેલ ડોપન્ટ | ઉદાહરણ | મુખ્ય વાહકો |
---|---|---|---|
P-type | ત્રિસંયોજક (બોરોન, ગેલિયમ) | બોરોન સાથે ડોપ કરેલ સિલિકોન | હોલ્સ |
N-type | પંચસંયોજક (ફોસ્ફરસ, આર્સેનિક) | ફોસ્ફરસ સાથે ડોપ કરેલ સિલિકોન | ઇલેક્ટ્રોન્સ |
આકૃતિ:
graph TD A[Pure Semiconductor] --> B[Add Trivalent Impurity] --> C[P-type] A --> D[Add Pentavalent Impurity] --> E[N-type] style A fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#f96,stroke:#333 style E fill:#99f,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “પોઝિટિવમાં પ્લસ હોલ્સ, નેગેટિવમાં નંબર ઇલેક્ટ્રોન્સ” (PHNE)
પ્રશ્ન 3(અ) અથવા [3 ગુણ]#
વ્યાખ્યા લખો: રીપલ ફેક્ટર, પીક ઈનવર્સ વોલ્ટેજ, રેક્ટીફીકેશન એફીસીયન્સી.
જવાબ:
કોષ્ટક: રેક્ટિફાયર પદો
પદ | વ્યાખ્યા | સૂત્ર |
---|---|---|
રિપલ ફેક્ટર | રેક્ટિફાઇડ આઉટપુટમાં AC ઘટકનું માપ | r = Vrms(AC)/Vdc |
પીક ઇન્વર્સ વોલ્ટેજ | મહત્તમ રિવર્સ વોલ્ટેજ જે ડાયોડ સહન કરી શકે છે | - |
રેક્ટિફિકેશન એફિસિયન્સી | DC આઉટપુટ પાવરનો AC ઇનપુટ પાવર સાથેનો ગુણોત્તર | η = (Pdc/Pac) × 100% |
આકૃતિ:
graph TD A[Rectifier Parameters] --> B[Ripple Factor] A --> C[Peak Inverse Voltage] A --> D[Rectification Efficiency] style A fill:#9cf,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “રિપલ્સ પીક એફિશિયન્ટલી” (RPE)
પ્રશ્ન 3(બ) [3 ગુણ]#
ક્રિસ્ટલ ડાયોડનું કાર્ય સમજાવો.
જવાબ:
ક્રિસ્ટલ ડાયોડ એ પોઇન્ટ-કોન્ટેક્ટ ડાયોડ છે જે અર્ધવાહક ક્રિસ્ટલ સાથે બનાવવામાં આવે છે.
કોષ્ટક: ક્રિસ્ટલ ડાયોડના ગુણધર્મો
ગુણધર્મ | વર્ણન |
---|---|
બાંધકામ | અર્ધવાહક ક્રિસ્ટલ પર મેટલ પોઇન્ટ કોન્ટેક્ટ |
કાર્ય | ઉચ્ચ આવૃત્તિના સિગ્નલનું રેક્ટિફિકેશન |
ઉપયોગ | રેડિયો સિગ્નલ શોધ |
આકૃતિ:
graph LR A[RF Signal] --> B[Crystal Diode] --> C[Rectified Signal] style A fill:#9cf,stroke:#333 style B fill:#f96,stroke:#333 style C fill:#9f9,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “ક્રિસ્ટલ શોધે રેડિયો ફ્રીક્વન્સી” (CDRF)
પ્રશ્ન 3(બ) અથવા [3 ગુણ]#
ફોટોડાયોડનું કાર્ય સમજાવો.
જવાબ:
ફોટોડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં ઓપરેટ કરવામાં આવે ત્યારે પ્રકાશ ઊર્જાને વિદ્યુત પ્રવાહમાં રૂપાંતરિત કરે છે.
કોષ્ટક: ફોટોડાયોડની લાક્ષણિકતાઓ
પેરામીટર | વર્તન |
---|---|
પ્રકાશ સ્થિતિ | ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી ઉત્પન્ન કરે છે |
રિવર્સ કરંટ | પ્રકાશની તીવ્રતા સાથે વધે છે |
ગતિ | ઝડપી પ્રતિસાદ સમય |
આકૃતિ:
graph TD A[Light] -->|Strikes| B[PN Junction] B -->|Creates| C[Electron-Hole Pairs] C -->|Produces| D[Current Flow] style A fill:#ff9,stroke:#333 style D fill:#9cf,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “પ્રકાશ આવે, કરંટ જાય” (LICO)
પ્રશ્ન 3(ક) [4 ગુણ]#
સર્કિટ તથા વેવફોર્મ દોરી હાફ-વેવ રેક્ટીફાયર સમજાવો.
જવાબ:
હાફ-વેવ રેક્ટિફાયર AC ને પલ્સેટિંગ DCમાં રૂપાંતરિત કરે છે, માત્ર પોઝિટિવ હાફ સાયકલ દરમિયાન પ્રવાહને પસાર કરીને.
સર્કિટ ડાયાગ્રામ:
graph LR A[AC Input] --- B[Transformer] --- C[Diode] --- D[Load Resistor] --- E[Ground] E --- A style A fill:#9cf,stroke:#333 style D fill:#f96,stroke:#333
વેવફોર્મ્સ:
graph TD subgraph "Input AC" A[+Vp] --- B[(0)] --- C[-Vp] end subgraph "Output DC" D[+Vp] --- E[(0)] --- F[(0)] end style A fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#9cf,stroke:#333 style D fill:#f96,stroke:#333
કોષ્ટક: હાફ-વેવ રેક્ટિફાયરની લાક્ષણિકતાઓ
પેરામીટર | મૂલ્ય |
---|---|
રિપલ ફેક્ટર | 1.21 |
કાર્યક્ષમતા | 40.6% |
આઉટપુટ ફ્રીક્વન્સી | ઇનપુટ જેવી જ |
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “અર્ધ તરંગ અર્ધ પસાર” (HWPH)
પ્રશ્ન 3(ક) અથવા [4 ગુણ]#
સર્કિટ તથા વેવફોર્મ દોરી ફુલ-વેવ રેક્ટીફાયર સમજાવો.
જવાબ:
ફુલ-વેવ રેક્ટિફાયર AC ઇનપુટના બંને અર્ધ ભાગોને પલ્સેટિંગ DC આઉટપુટમાં રૂપાંતરિત કરે છે.
સર્કિટ ડાયાગ્રામ (બ્રિજ પ્રકાર):
graph TD A[AC Input] --- B[D1] A --- C[D3] B --- D[D2] --- E[+Output] C --- F[D4] --- G[-Output] E --- H[Load] --- G style A fill:#9cf,stroke:#333 style H fill:#f96,stroke:#333
વેવફોર્મ્સ:
graph TD subgraph "Input AC" A[+Vp] --- B[(0)] --- C[-Vp] --- B end subgraph "Output DC" D[+Vp] --- E[(0)] --- D end style A fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#9cf,stroke:#333 style D fill:#f96,stroke:#333
કોષ્ટક: ફુલ-વેવ રેક્ટિફાયરની લાક્ષણિકતાઓ
પેરામીટર | મૂલ્ય |
---|---|
રિપલ ફેક્ટર | 0.48 |
કાર્યક્ષમતા | 81.2% |
આઉટપુટ ફ્રીક્વન્સી | ઇનપુટથી બમણી |
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “પૂર્ણ તરંગ પૂર્ણ ઉપયોગ” (FWMFU)
પ્રશ્ન 3(ડ) [4 ગુણ]#
PN-જંક્શન ડાયોડના VI લાક્ષણિકતાઓ આકૃતિ દોરી સમજાવો.
જવાબ:
VI લાક્ષણિકતાઓ:
graph TD subgraph "Forward Bias" A[Vf] --> B[If] end subgraph "Reverse Bias" C[Vr] --> D[Ir] E[Breakdown] --> F[Reverse Current Increases] end style A fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#f96,stroke:#333 style E fill:#f00,stroke:#333
કોષ્ટક: PN જંક્શન ડાયોડની લાક્ષણિકતાઓ
પ્રદેશ | વર્તન |
---|---|
ફોરવર્ડ બાયસ | 0.7V (Si) પછી કરંટ એક્સપોનેન્શિયલી વધે છે |
રિવર્સ બાયસ | ખૂબ નાનો લીકેજ કરંટ વહે છે |
બ્રેકડાઉન | ઉચ્ચ રિવર્સ વોલ્ટેજ પર થાય છે, કરંટ ઝડપથી વધે છે |
ફોરવર્ડ બાયસ: P-સાઇડ પર પોઝિટિવ વોલ્ટેજ, થ્રેશોલ્ડ પછી કરંટ સરળતાથી વહે છે. રિવર્સ બાયસ: N-સાઇડ પર પોઝિટિવ વોલ્ટેજ, માત્ર નાનો લીકેજ કરંટ વહે છે.
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “ફોરવર્ડ ફ્લો, રિવર્સ રેસ્ટ્રિક્ટ” (FFRR)
પ્રશ્ન 3(ડ) અથવા [4 ગુણ]#
P-type અને N-type અર્ધવાહક વચ્ચેનો તફાવત લખો.
જવાબ:
કોષ્ટક: P-type vs N-type અર્ધવાહક
ગુણધર્મ | P-type | N-type |
---|---|---|
ડોપન્ટ | ત્રિસંયોજક (બોરોન, ગેલિયમ) | પંચસંયોજક (ફોસ્ફરસ, આર્સેનિક) |
મુખ્ય વાહકો | હોલ્સ | ઇલેક્ટ્રોન્સ |
ગૌણ વાહકો | ઇલેક્ટ્રોન્સ | હોલ્સ |
વિદ્યુત ચાર્જ | સાપેક્ષ રીતે પોઝિટિવ | સાપેક્ષ રીતે નેગેટિવ |
વાહકતા | N-type કરતાં ઓછી | P-type કરતાં વધારે |
આકૃતિ:
graph LR subgraph "P-type" A[Silicon] --- B[Boron] C[Holes] --- D[+] end subgraph "N-type" E[Silicon] --- F[Phosphorus] G[Electrons] --- H[-] end style C fill:#f96,stroke:#333 style G fill:#9cf,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “પોઝિટિવમાં પ્લસ હોલ્સ, નેગેટિવમાં નંબર ઇલેક્ટ્રોન્સ” (PHNE)
પ્રશ્ન 4(અ) [3 ગુણ]#
LED ની કાર્યપદ્ધતિ સમજાવો.
જવાબ:
LED (લાઇટ એમિટિંગ ડાયોડ) ફોરવર્ડ બાયસ થયેલ હોય ત્યારે ઇલેક્ટ્રોન-હોલ રિકોમ્બિનેશનને કારણે પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે.
કાર્યપદ્ધતિનો સિદ્ધાંત: જ્યારે ફોરવર્ડ બાયસ કરવામાં આવે છે, ત્યારે N-સાઇડથી ઇલેક્ટ્રોન્સ P-સાઇડ તરફ ગતિ કરે છે અને હોલ્સ સાથે રિકોમ્બાઇન થાય છે, જેના પરિણામે ફોટોન્સ (પ્રકાશ) તરીકે ઊર્જા છોડે છે.
કોષ્ટક: LED ઓપરેશન
પ્રક્રિયા | પરિણામ |
---|---|
ફોરવર્ડ બાયસ | કરંટ વહે છે |
ઇલેક્ટ્રોન-હોલ રિકોમ્બિનેશન | ઊર્જા રિલીઝ |
એનર્જી બેન્ડ ગેપ | રંગ નક્કી કરે છે |
આકૃતિ:
graph TD A[Forward Bias] -->|Causes| B[Current Flow] B -->|Creates| C[Electron-Hole Recombination] C -->|Releases| D[Photons (Light)] style A fill:#9cf,stroke:#333 style D fill:#ff9,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “ફોરવર્ડ કરંટ પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે” (FCEL)
પ્રશ્ન 4(અ) અથવા [3 ગુણ]#
LED ના ઉપયોગો જણાવો.
જવાબ:
કોષ્ટક: LED ઉપયોગો
ઉપયોગ | ફાયદો |
---|---|
ડિસ્પ્લે ઇન્ડિકેટર્સ | ઓછો પાવર વપરાશ |
ડિજિટલ ડિસ્પ્લે | વિવિધ રંગો ઉપલબ્ધ |
લાઇટિંગ | ઊર્જા કાર્યક્ષમ |
રિમોટ કંટ્રોલ | ઇન્ફ્રારેડ કમ્યુનિકેશન |
ટ્રાફિક સિગ્નલ્સ | લાંબી લાઇફ, ઉચ્ચ દૃશ્યતા |
આકૃતિ:
graph TD A[LED Applications] --> B[Indicators] A --> C[Displays] A --> D[Lighting] A --> E[Communication] A --> F[Signals] style A fill:#9cf,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “ડિસ્પ્લે લાઇટ્સ ઇન ક્લેવર સિગ્નલ્સ” (DLICS)
પ્રશ્ન 4(બ) [4 ગુણ]#
“ઝેનર ડાયોડ વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટર તરીકે” સમજાવો.
જવાબ:
ઝેનર ડાયોડ રિવર્સ બ્રેકડાઉન રીજીયનમાં ઓપરેટ કરવામાં આવે ત્યારે ઇનપુટ વોલ્ટેજની અસ્થિરતા છતાં સ્થિર આઉટપુટ વોલ્ટેજ જાળવે છે.
સર્કિટ:
graph LR A[Unregulated DC] --- B[Series Resistor] --- C[Output] C --- D[Zener Diode] --- E[Ground] C --- F[Load] --- E style A fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#9f9,stroke:#333 style D fill:#f96,stroke:#333
કાર્ય:
- સીરીઝ રેઝિસ્ટર કરંટ મર્યાદિત કરે છે
- ઝેનર બ્રેકડાઉન રીજીયનમાં કાર્ય કરે છે
- લોડ પર સ્થિર વોલ્ટેજ જાળવે છે
કોષ્ટક: ઝેનર રેગ્યુલેટરની લાક્ષણિકતાઓ
પેરામીટર | વર્ણન |
---|---|
વોલ્ટેજ રેગ્યુલેશન | ઇનપુટમાં ફેરફાર છતાં સ્થિર આઉટપુટ જાળવે છે |
પાવર રેટિંગ | પાવર ડિસિપેશન સંભાળવું જોઈએ |
તાપમાન સ્થિરતા | આઉટપુટ તાપમાન સાથે થોડું બદલાય છે |
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “ઝેનર બ્રેક ટુ રેગ્યુલેટ” (ZBR)
પ્રશ્ન 4(બ) અથવા [4 ગુણ]#
ઝેનર વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટરની મર્યાદાઓ.
જવાબ:
કોષ્ટક: ઝેનર વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટરની મર્યાદાઓ
મર્યાદા | અસર |
---|---|
પાવર ડિસિપેશન | ઝેનર પાવર રેટિંગ દ્વારા મર્યાદિત |
કરંટ ક્ષમતા | માત્ર નાના લોડ સંભાળી શકે છે |
તાપમાન સંવેદનશીલતા | આઉટપુટ તાપમાન સાથે બદલાય છે |
કાર્યક્ષમતા | સીરીઝ રેઝિસ્ટરમાં પાવર લોસને કારણે ખરાબ કાર્યક્ષમતા |
નોઈઝ | ઇલેક્ટ્રિકલ નોઈઝ ઉત્પન્ન કરે છે |
આકૃતિ:
graph TD A[Zener Limitations] --> B[Power Limits] A --> C[Current Limits] A --> D[Temperature Effects] A --> E[Efficiency Issues] A --> F[Noise Generation] style A fill:#f96,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “પાવર કરંટ ટેમ્પરેચર એફિશિયન્સી નોઇઝ” (PCTEN)
પ્રશ્ન 4(ક) [7 ગુણ]#
રેક્ટીફાયરમાં ફિલ્ટર સર્કિટની જરૂરીયાત વર્ણવો. રેક્ટીફાયરમાં ઉપયોગી વિવિધ પ્રકારની ફિલ્ટર સર્કિટના નામ જણાવો તથા કોઈ એક ફિલ્ટર સર્કિટ દોરી વિગતવાર સમજાવો.
જવાબ:
ફિલ્ટર સર્કિટની જરૂરીયાત: રેક્ટિફાયર આઉટપુટમાં AC રિપલ હોય છે જે સ્મૂધ DC માટે દૂર કરવી જરૂરી છે. ફિલ્ટર્સ આ રિપલ ઘટાડીને સ્થિર DC આઉટપુટ પૂરું પાડે છે.
ફિલ્ટર સર્કિટના પ્રકારો:
- કેપેસિટર ફિલ્ટર (શન્ટ કેપેસિટર)
- LC ફિલ્ટર
- π-ફિલ્ટર (પાઇ-ફિલ્ટર)
- RC ફિલ્ટર
કેપેસિટર ફિલ્ટરની સમજૂતી:
સર્કિટ ડાયાગ્રામ:
graph LR A[Rectifier Output] --- B[+] B --- C[Load] B --- D[Capacitor] C --- E[Ground] D --- E style A fill:#9cf,stroke:#333 style C fill:#f96,stroke:#333 style D fill:#9f9,stroke:#333
કાર્ય:
- કેપેસિટર વોલ્ટેજના પીક્સ દરમિયાન ચાર્જ થાય છે
- વોલ્ટેજ ડ્રોપ્સ દરમિયાન ધીમે ધીમે ડિસ્ચાર્જ થાય છે
- પીક્સ વચ્ચે આઉટપુટ વોલ્ટેજ જાળવે છે
- રિપલ વોલ્ટેજ ઘટાડે છે
કોષ્ટક: કેપેસિટર ફિલ્ટરની લાક્ષણિકતાઓ
પેરામીટર | અસર |
---|---|
કેપેસિટન્સ મૂલ્ય | ઉચ્ચ મૂલ્ય ઓછી રિપલ આપે છે |
રિપલ ઘટાડો | સામાન્ય રીતે 70-80% ઘટાડે છે |
લોડ કરંટ | ઉચ્ચ લોડ કરંટ વધુ રિપલ ઉત્પન્ન કરે છે |
ફ્રીક્વન્સી | ઉચ્ચ ફ્રીક્વન્સી ફિલ્ટર કરવી સરળ છે |
વેવફોર્મ્સ:
graph TD subgraph "Rectifier Output" A[Pulsating DC] end subgraph "Filter Output" B[Smoother DC] end style A fill:#f96,stroke:#333 style B fill:#9f9,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “કેપેસિટર્સ હોલ્ડ વોલ્ટેજ ડ્યુરિંગ ડ્રોપ્સ” (CHVDD)
પ્રશ્ન 5(અ) [3 ગુણ]#
ઈ-વેસ્ટની વ્યાખ્યા લખો. સામાન્ય ઈ-વેસ્ટ વસ્તુઓની યાદી બનાવો.
જવાબ:
ઈ-વેસ્ટ એટલે ત્યજિત ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો અને ઘટકો કે જે તેમના ઉપયોગી જીવનકાળના અંતે પહોંચ્યા છે.
કોષ્ટક: સામાન્ય ઈ-વેસ્ટ વસ્તુઓ
શ્રેણી | ઉદાહરણો |
---|---|
કમ્પ્યુટિંગ ઉપકરણો | કમ્પ્યુટર્સ, લેપટોપ, ટેબ્લેટ |
કમ્યુનિકેશન ઉપકરણો | મોબાઇલ ફોન, ટેલિફોન |
ઘરેલું ઉપકરણો | ટીવી, રેફ્રિજરેટર, વોશિંગ મશીન |
ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકો | સર્કિટ બોર્ડ, બેટરી, કેબલ્સ |
ઓફિસ ઉપકરણો | પ્રિન્ટર, સ્કેનર, કોપિયર |
આકૃતિ:
graph TD A[E-waste] --> B[Computing] A --> C[Communication] A --> D[Home Appliances] A --> E[Components] A --> F[Office Equipment] style A fill:#f96,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “કમ્પ્યુટર્સ, કમ્યુનિકેશન, કમ્પોનન્ટ્સ, હોમ એપ્લાયન્સિસ” (CCCHA)
પ્રશ્ન 5(બ) [3 ગુણ]#
ઈ-વેસ્ટ મેનેજમેન્ટની વિવિધ વ્યૂહરચના જણાવો અને સમજાવો.
જવાબ:
કોષ્ટક: ઈ-વેસ્ટ મેનેજમેન્ટની વ્યૂહરચનાઓ
વ્યૂહરચના | વર્ણન |
---|---|
ઘટાડવું | નવા ઇલેક્ટ્રોનિક્સની ખરીદી ઘટાડવી |
ફરીથી ઉપયોગ | રિપેર અને રીપરપઝિંગ દ્વારા જીવનકાળ વધારવો |
રિસાયકલ | મૂલ્યવાન સામગ્રી પુનઃપ્રાપ્ત કરવા માટે ઈ-વેસ્ટ પ્રોસેસ કરવો |
જવાબદાર નિકાલ | અધિકૃત ઈ-વેસ્ટ સંગ્રહ કેન્દ્રોનો ઉપયોગ કરવો |
વિસ્તૃત ઉત્પાદક જવાબદારી | ઉત્પાદકો જીવનકાળના અંત ઉત્પાદનો પાછા લે છે |
આકૃતિ:
graph TD A[E-waste Management] --> B[Reduce] A --> C[Reuse] A --> D[Recycle] A --> E[Responsible Disposal] A --> F[Extended Producer Responsibility] style A fill:#9cf,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “3R’s અને 2 વધારાની કાર્યવાહી” (3R2A)
પ્રશ્ન 5(ક) [4 ગુણ]#
“ટ્રાનઝીસ્ટર સ્વીચ તરીકે” સમજાવો.
જવાબ:
ટ્રાન્ઝિસ્ટર કટઓફ (OFF) અથવા સેચુરેશન (ON) રીજીયનમાં ઓપરેટ કરીને ઇલેક્ટ્રોનિક સ્વિચ તરીકે કાર્ય કરી શકે છે.
કોષ્ટક: ટ્રાન્ઝિસ્ટર સ્વિચ ઓપરેશન
સ્થિતિ | શરત | વર્તન |
---|---|---|
OFF (કટઓફ) | બેઝ કરંટ = 0 | કોઈ કલેક્ટર કરંટ વહેતો નથી |
ON (સેચુરેશન) | બેઝ કરંટ પૂરતો | મહત્તમ કલેક્ટર કરંટ વહે છે |
સર્કિટ ડાયાગ્રામ:
graph LR A[+Vcc] --- B[Rc] --- C[Collector] C --- D[Emitter] --- E[Ground] F[Vin] --- G[Rb] --- H[Base] H --- D style F fill:#9cf,stroke:#333 style A fill:#f96,stroke:#333
કાર્ય:
- જ્યારે ઇનપુટ HIGH હોય: ટ્રાન્ઝિસ્ટર સેચુરેટ થાય છે, બંધ સ્વિચ જેવું વર્તન કરે છે
- જ્યારે ઇનપુટ LOW હોય: ટ્રાન્ઝિસ્ટર કટ-ઓફ થાય છે, ખુલ્લા સ્વિચ જેવું વર્તન કરે છે
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “નો બેઝ નો કરંટ, એપ્લાય બેઝ કનેક્ટ સર્કિટ” (NBNC-ABC)
પ્રશ્ન 5(ડ) [4 ગુણ]#
ટ્રાંઝીસ્ટરના CE કંફીગરેશન માટે α તથા β વચ્ચેનો સંબંધ તારવો.
જવાબ:
ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં, α (આલ્ફા) અને β (બીટા) કરંટ ગેઇન પેરામીટર્સ છે.
વ્યાખ્યાઓ:
- α = IC/IE (કોમન બેઝ કરંટ ગેઇન)
- β = IC/IB (કોમન એમિટર કરંટ ગેઇન)
તારણ: IE = IC + IB થી, આપણે લખી શકીએ: α = IC/IE = IC/(IC + IB)
ન્યુમરેટર અને ડિનોમિનેટરને IBથી ભાગીએ: α = (IC/IB)/[(IC/IB) + 1] = β/(β + 1)
તેથી: β = α/(1-α)
કોષ્ટક: α અને β વચ્ચેનો સંબંધ
પેરામીટર | સૂત્ર | સામાન્ય રેન્જ |
---|---|---|
α માંથી β | α = β/(β+1) | 0.9 થી 0.99 |
β માંથી α | β = α/(1-α) | 50 થી 300 |
આકૃતિ:
graph TD A[α = IC/IE] --- B[β = IC/IB] C[β = α/(1-α)] --- D[α = β/(β+1)] style A fill:#9cf,stroke:#333 style B fill:#f96,stroke:#333
નિયમ યાદ રાખવા માટે: “બીટા બરાબર આલ્ફા ડિવાઇડેડ બાય વન માઇનસ આલ્ફા” (BAOA)