પ્રશ્ન 1(a) [3 marks]#
ઇલેક્ટ્રોનિક નેટવર્ક માટે વ્યાખ્યા આપો. (i) નોડ (ii) બ્રાંચ (iii) લૂપ
જવાબ:
શબ્દ | વ્યાખ્યા |
---|---|
નોડ | એક બિંદુ જ્યાં બે કે વધુ તત્વો એકબીજા સાથે જોડાયેલા હોય |
બ્રાંચ | બે નોડ વચ્ચેનો એક તત્વ અથવા પાથ |
લૂપ | નેટવર્કમાં બંધ પાથ જ્યાં કોઈ નોડને એક કરતાં વધુ વખત ક્રોસ ન કરાય |
આકૃતિ:
graph LR A((Node A)) --- B((Node B)) --- C((Node C)) --- D((Node D)) --- A A --- C style A fill:#f9f,stroke:#333,stroke-width:2px style B fill:#bbf,stroke:#333,stroke-width:2px style C fill:#f9f,stroke:#333,stroke-width:2px style D fill:#bbf,stroke:#333,stroke-width:2px
સરળ રીત: “NBL: નેટવર્ક્સ બિગિન વિથ લૂપ્સ”
પ્રશ્ન 1(b) [4 marks]#
20 Ω, 30 Ω અને 50 Ω નાં રેઝીસ્ટર 60 V નાં સપ્લાય સાથે પેરેલલમાં જોડાયેલા છે. તો (i) દરેક રેઝીસ્ટરમાંથી પસાર થતો કરંટ તથા કુલ કરંટ (ii) ઇક્વીવેલન્ટ રેઝીસ્ટર શોધો.
જવાબ:
આકૃતિ:
graph LR A[60V] --- B((+)) B --- C[20Ω] --- D((-)) B --- E[30Ω] --- D B --- F[50Ω] --- D D --- A
ગણતરી | મૂલ્ય |
---|---|
20 Ω રેઝીસ્ટરમાંથી પસાર થતો કરંટ: I₁ = V/R₁ = 60/20 | 3 A |
30 Ω રેઝીસ્ટરમાંથી પસાર થતો કરંટ: I₂ = V/R₂ = 60/30 | 2 A |
50 Ω રેઝીસ્ટરમાંથી પસાર થતો કરંટ: I₃ = V/R₃ = 60/50 | 1.2 A |
કુલ કરંટ: I = I₁ + I₂ + I₃ = 3 + 2 + 1.2 | 6.2 A |
ઇક્વીવેલન્ટ રેઝીસ્ટન્સ: Req = V/I = 60/6.2 | 9.68 Ω |
સરળ રીત: “PIV: પેરેલલ ઇન્ક્રીઝીસ ધ કરંટ, વોલ્ટેજ રીમેઇન્સ ધ સેમ”
પ્રશ્ન 1(c) [7 marks]#
કેપેસીટર માટે સિરિઝ અને પેરેલલ જોડાણ સમજાવો.
જવાબ:
જોડાણ | સૂત્ર | લક્ષણો |
---|---|---|
સિરિઝ જોડાણ | 1/C_eq = 1/C₁ + 1/C₂ + 1/C₃ + … | - ઇક્વીવેલન્ટ કેપેસિટન્સ સૌથી નાના કેપેસિટરથી ઓછું - દરેક કેપેસિટરમાં સમાન કરંટ - કુલ વોલ્ટેજ કેપેસિટરો વચ્ચે વહેંચાય છે - ડાયલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ વધારે છે |
પેરેલલ જોડાણ | C_eq = C₁ + C₂ + C₃ + … | - ઇક્વીવેલન્ટ કેપેસિટન્સ બધા કેપેસિટરોનો સરવાળો - દરેક કેપેસિટર પર સમાન વોલ્ટેજ - કુલ ચાર્જ વ્યક્તિગત ચાર્જનો સરવાળો - પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ વધારે છે |
આકૃતિ:
graph LR subgraph Series A[+] --- B[C₁] --- C[C₂] --- D[C₃] --- E[-] end subgraph Parallel F[+] --- G[C₁] --- H[-] F --- I[C₂] --- H F --- J[C₃] --- H end
સરળ રીત: “CAPE: કેપેસિટર્સ એડ ઇન પેરેલલ, એલિમિનેટ ઇન સિરિઝ”
પ્રશ્ન 1(c) OR [7 marks]#
ઇન્ડક્ટર માટે સિરિઝ અને પેરેલલ જોડાણ સમજાવો.
જવાબ:
જોડાણ | સૂત્ર | લક્ષણો |
---|---|---|
સિરિઝ જોડાણ | L_eq = L₁ + L₂ + L₃ + … | - ઇક્વીવેલન્ટ ઇન્ડક્ટન્સ બધા ઇન્ડક્ટરોનો સરવાળો - દરેક ઇન્ડક્ટરમાં સમાન કરંટ - કુલ વોલ્ટેજ વ્યક્તિગત વોલ્ટેજનો સરવાળો - ફ્લક્સ લિંકેજ વધે છે |
પેરેલલ જોડાણ | 1/L_eq = 1/L₁ + 1/L₂ + 1/L₃ + … | - ઇક્વીવેલન્ટ ઇન્ડક્ટન્સ સૌથી નાના ઇન્ડક્ટરથી ઓછું - દરેક ઇન્ડક્ટર પર સમાન વોલ્ટેજ - કુલ કરંટ ઇન્ડક્ટરો વચ્ચે વહેંચાય છે - મેગ્નેટિક કપલિંગ વાસ્તવિક મૂલ્યને અસર કરે છે |
આકૃતિ:
graph LR subgraph Series A[+] --- B((L₁)) --- C((L₂)) --- D((L₃)) --- E[-] end subgraph Parallel F[+] --- G((L₁)) --- H[-] F --- I((L₂)) --- H F --- J((L₃)) --- H end
સરળ રીત: “LIPS: ઇન્ડક્ટર્સ લિંક ઇન સિરિઝ, પાર્ટિશન ઇન પેરેલલ”
પ્રશ્ન 2(a) [3 marks]#
વ્યાખ્યા આપો. (i) ટ્રાન્સફોર્મઇમ્પીડન્સ, (ii) ડ્રાઇવિંગ પોઇન્ટ ઇમ્પીડન્સ, (iii) ટ્રાન્સફર ઇમ્પીડન્સ.
જવાબ:
શબ્દ | વ્યાખ્યા |
---|---|
ટ્રાન્સફોર્મઇમ્પીડન્સ | ટ્રાન્સફોર્મરમાં પ્રાથમિકથી ગૌણ તરફ જતા સિગ્નલ દ્વારા જોવામાં આવતા ઇમ્પીડન્સ |
ડ્રાઇવિંગ પોઇન્ટ ઇમ્પીડન્સ | એક જ પોર્ટ પર વોલ્ટેજનો કરંટ સાથેનો ગુણોત્તર |
ટ્રાન્સફર ઇમ્પીડન્સ | એક પોર્ટ પર વોલ્ટેજનો બીજા પોર્ટના કરંટ સાથેનો ગુણોત્તર |
આકૃતિ:
graph LR A[Input] --- B[Two Port Network] --- C[Output] D[Z11: Driving point impedance] -.-> B E[Z21: Transfer impedance] -.-> B F[Z12: Transfer impedance] -.-> B G[Z22: Driving point impedance] -.-> B
સરળ રીત: “TDT: ટ્રાન્સફોર્મર્સ ડ્રાઇવ ટ્રાન્સફર્સ”
પ્રશ્ન 2(b) [4 marks]#
30, 50 અને 90 ohms ના રેઝીસ્ટર સ્ટારમાં કનેક્ટ કરેલા છે. ડેલ્ટા કનેક્શનનાં ઇક્વીવેલન્ટ રેઝીસ્ટર શોધો.
જવાબ:
આકૃતિ:
graph TD A((A)) --- B[R₁=30Ω] --- D((D)) B((B)) --- C[R₂=50Ω] --- D C((C)) --- E[R₃=90Ω] --- D subgraph Equivalent Delta A --- F[R₁₂] --- B B --- G[R₂₃] --- C C --- H[R₃₁] --- A end
સ્ટાર થી ડેલ્ટા કન્વર્ઝન ફોર્મ્યુલા | ગણતરી | પરિણામ |
---|---|---|
R₁₂ = (R₁×R₂ + R₂×R₃ + R₃×R₁)/R₃ | (30×50 + 50×90 + 90×30)/90 | 105 Ω |
R₂₃ = (R₁×R₂ + R₂×R₃ + R₃×R₁)/R₁ | (30×50 + 50×90 + 90×30)/30 | 315 Ω |
R₃₁ = (R₁×R₂ + R₂×R₃ + R₃×R₁)/R₂ | (30×50 + 50×90 + 90×30)/50 | 189 Ω |
સરળ રીત: “PSR: પ્રોડક્ટ ઓવર સમ ઓફ રેસિસ્ટર્સ”
પ્રશ્ન 2(c) [7 marks]#
Π નેટવર્ક સમજાવો.
જવાબ:
વિભાવના | વર્ણન |
---|---|
વ્યાખ્યા | ત્રણ-ટર્મિનલ નેટવર્ક જે ત્રણ ઇમ્પીડન્સથી બનેલું હોય - એક સિરીઝમાં અને બે પેરેલલમાં |
સ્ટ્રક્ચર | બે ઇમ્પીડન્સ ઇનપુટ અને આઉટપુટથી કોમન બિંદુ સુધી જોડાયેલા, એક ઇનપુટ અને આઉટપુટ વચ્ચે |
પેરામીટર્સ | Z, Y, h, અથવા ABCD પેરામીટર્સનો ઉપયોગ કરીને વ્યાખ્યાયિત કરી શકાય છે |
એપ્લિકેશન્સ | મેચિંગ નેટવર્ક્સ, ફિલ્ટર્સ, એટેન્યુએટર્સ, ફેઝ શિફ્ટર્સ |
આકૃતિ:
graph LR A[Input] --- C[Z₂] --- B[Output] A --- D[Z₁] --- E[Common/Ground] B --- F[Z₃] --- E style D fill:#bbf,stroke:#333,stroke-width:2px style C fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px style F fill:#bbf,stroke:#333,stroke-width:2px
સરળ રીત: “PIE: પાઈ ઇમ્પીડન્સીસ કનેક્ટેડ એટ એન્ડ્સ”
પ્રશ્ન 2(a) OR [3 marks]#
નેટવર્કનાં પ્રકારો જણાવો.
જવાબ:
નેટવર્ક પ્રકારો | ઉદાહરણો |
---|---|
લિનિયરતા આધારિત | લિનિયર નેટવર્ક્સ, નોન-લિનિયર નેટવર્ક્સ |
ઘટકો આધારિત | પેસિવ નેટવર્ક્સ, એક્ટિવ નેટવર્ક્સ |
સ્ટ્રક્ચર આધારિત | લમ્પ્ડ નેટવર્ક્સ, ડિસ્ટ્રિબ્યુટેડ નેટવર્ક્સ |
વર્તણૂક આધારિત | બાઇલેટરલ નેટવર્ક્સ, યુનિલેટરલ નેટવર્ક્સ |
ટોપોલોજી આધારિત | T-નેટવર્ક્સ, π-નેટવર્ક્સ, લેટિસ નેટવર્ક્સ |
પોર્ટ્સ આધારિત | વન-પોર્ટ નેટવર્ક્સ, ટુ-પોર્ટ નેટવર્ક્સ, મલ્ટિ-પોર્ટ નેટવર્ક્સ |
આકૃતિ:
graph TD A[Network Types] --> B[Linear/Non-linear] A --> C[Passive/Active] A --> D[Lumped/Distributed] A --> E[Bilateral/Unilateral] A --> F[T/π/Lattice] A --> G[One-port/Two-port/Multi-port]
સરળ રીત: “PLAN-TB: પેસિવ-લિનિયર-એક્ટિવ-નેટવર્ક-ટોપોલોજી-બાઇલેટરલ”
પ્રશ્ન 2(b) OR [4 marks]#
40, 60 અને 80 ohms ના રેઝીસ્ટર ડેલ્ટામાં કનેક્ટ કરેલા છે. સ્ટાર કનેક્શનનાં ઇક્વીવેલન્ટ રેઝીસ્ટર શોધો.
જવાબ:
આકૃતિ:
graph TD A((A)) --- B[R₁₂=40Ω] --- B((B)) B --- C[R₂₃=60Ω] --- C((C)) C --- D[R₃₁=80Ω] --- A subgraph Equivalent Star A --- E[R₁] --- G((D)) B --- F[R₂] --- G C --- H[R₃] --- G end
ડેલ્ટા થી સ્ટાર કન્વર્ઝન ફોર્મ્યુલા | ગણતરી | પરિણામ |
---|---|---|
R₁ = (R₁₂×R₃₁)/(R₁₂+R₂₃+R₃₁) | (40×80)/(40+60+80) | 17.78 Ω |
R₂ = (R₁₂×R₂₃)/(R₁₂+R₂₃+R₃₁) | (40×60)/(40+60+80) | 13.33 Ω |
R₃ = (R₂₃×R₃₁)/(R₁₂+R₂₃+R₃₁) | (60×80)/(40+60+80) | 26.67 Ω |
સરળ રીત: “DPS: ડેલ્ટા પ્રોડક્ટ ઓવર સમ”
પ્રશ્ન 2(c) OR [7 marks]#
symmetrical T – network માટે કેરેક્ટરાસ્ટીક ઇમ્પીડન્સ સમજાવો. ZOT નું સૂત્ર ZOC and ZSC ના રૂપમાં તારવો.
જવાબ:
વિભાવના | વર્ણન |
---|---|
કેરેક્ટરાસ્ટીક ઇમ્પીડન્સ (Z₀) | આઉટપુટ પોર્ટ પર જોડાયેલું ઇમ્પીડન્સ જેના કારણે ઇનપુટ ઇમ્પીડન્સ Z₀ ની બરાબર થાય |
સિમેટ્રિકલ T-નેટવર્ક | T-નેટવર્ક જેમાં બંને બાજુના સિરીઝ ઇમ્પીડન્સ સમાન હોય |
ZOC અને ZSC | નેટવર્કના ઓપન-સર્કિટ અને શોર્ટ-સર્કિટ ઇમ્પીડન્સીસ |
આકૃતિ:
graph LR A[Input] --- B[Z₁] --- C((Middle)) --- D[Z₁] --- E[Output] C --- F[Z₂] --- G[Ground] H[Z₀] -.-> E
સિમેટ્રિકલ T-નેટવર્ક માટે:
- સિરીઝ ઇમ્પીડન્સીસ (Z₁) સમાન હોય છે
- Z₂ એ શન્ટ ઇમ્પીડન્સ છે
કેરેક્ટરાસ્ટીક ઇમ્પીડન્સ (Z₀ᵀ) આ રીતે આપવામાં આવે છે: Z₀ᵀ = √(Z₀ᶜ × Z₀ˢᶜ)
જ્યાં:
- Z₀ᶜ = ઓપન સર્કિટ ઇમ્પીડન્સ = Z₁ + Z₂ + (Z₁×Z₂)/Z₁ = Z₁ + Z₂
- Z₀ˢᶜ = શોર્ટ સર્કિટ ઇમ્પીડન્સ = Z₁²/Z₂
તેથી: Z₀ᵀ = √[(Z₁ + Z₂) × Z₁²/Z₂] = √[Z₁² + Z₁×Z₂]
સરળ રીત: “TOSS: T-નેટવર્ક્સ ઓપન એન્ડ શોર્ટ સર્કિટ સ્ક્વેર-રૂટ”
પ્રશ્ન 3(a) [3 marks]#
Kirchhoff’s law સમજાવો.
જવાબ:
નિયમ | વિધાન | ઉપયોગ |
---|---|---|
Kirchhoff’s Current Law (KCL) | નોડમાં પ્રવેશતા કરંટનો સરવાળો નોડમાંથી નીકળતા કરંટના સરવાળા બરાબર હોય | નોડલ એનાલિસિસ માટે ઉપયોગી |
Kirchhoff’s Voltage Law (KVL) | કોઈપણ બંધ લૂપની આસપાસ વોલ્ટેજનો સરવાળો શૂન્ય હોય | મેશ એનાલિસિસ માટે ઉપયોગી |
આકૃતિ:
graph TD subgraph "Current Law" A((Node)) --- B[I₁] A --- C[I₂] A --- D[I₃] A --- E[I₄] end subgraph "Voltage Law" F[V₁] --- G[V₂] --- H[V₃] --- I[V₄] --- F end
સરળ રીત: “KVC: કિરચોફ વેરિફાઈસ કરંટ એન્ડ વોલ્ટેજ લોઝ”
પ્રશ્ન 3(b) [4 marks]#
Mesh analysis સમજાવો.
જવાબ:
વિભાવના | વર્ણન |
---|---|
વ્યાખ્યા | દરેક સ્વતંત્ર બંધ લૂપ (મેશ) માટે KVL લાગુ પાડીને સર્કિટ સમસ્યાઓ ઉકેલવાની પદ્ધતિ |
પ્રક્રિયા | 1. દરેક લૂપને મેશ કરંટ આપો 2. દરેક મેશ માટે KVL સમીકરણો લખો 3. પરિણામી સમીકરણોની સિસ્ટમ ઉકેલો |
ફાયદાઓ | - સમીકરણોની સંખ્યા ઘટાડે છે - ઘણી શાખાઓ વાળા સર્કિટ્સ માટે સારું કામ કરે છે - વોલ્ટેજ સ્ત્રોતો વાળી સમસ્યાઓ માટે યોગ્ય |
આકૃતિ:
graph TD A((+)) --- B[R₁] --- C((B)) --- D[R₂] --- E((C)) E --- F[R₃] --- G((D)) --- H[R₄] --- A C --- I[R₅] --- G J[I₁] -.-> B K[I₂] -.-> D L[I₃] -.-> I
સરળ રીત: “MAIL: મેશ એનાલિસિસ યુઝિસ ઇન્ડિપેન્ડન્ટ લૂપ્સ”
પ્રશ્ન 3(c) [7 marks]#
Thevenin’s theorem નો ઉપયોગ કરીને ઉપર દશાર્વેલ સર્કિટ માટે 5 Ω રેઝીસ્ટર માંથી પસાર થતો કરંટ શોધો.
જવાબ:
આકૃતિ:
સ્ટેપ 1: 5Ω રેઝીસ્ટર દૂર કરીને ઓપન સર્કિટ વોલ્ટેજ (Vₜₕ) શોધો સ્ટેપ 2: થેવેનિનનું ઇક્વિવેલન્ટ રેઝિસ્ટન્સ (Rₜₕ) શોધો સ્ટેપ 3: 5Ω રેઝીસ્ટરમાંથી પસાર થતો કરંટ ગણો
સ્ટેપ | ગણતરી | પરિણામ |
---|---|---|
Vₜₕ | A અને B વચ્ચેનું વોલ્ટેજ જ્યારે 5Ω દૂર કરવામાં આવે | 38.46 V |
Rₜₕ | A અને B થી જોવાતું ઇક્વિવેલન્ટ રેઝિસ્ટન્સ જ્યારે 100V સ્ત્રોત શોર્ટ કરવામાં આવે | 3.6 Ω |
કરંટ | I = Vₜₕ/(Rₜₕ + 5) = 38.46/(3.6 + 5) | 4.47 A |
સરળ રીત: “TVR: થેવેનિન રિપ્લેસીસ વોલ્ટેજ એન્ડ રેઝીસ્ટન્સ”
પ્રશ્ન 3(a) OR [3 marks]#
Superposition Theorem જણાવો અને સમજાવો.
જવાબ:
વિભાવના | વર્ણન |
---|---|
વિધાન | લિનિયર સર્કિટમાં બહુવિધ સ્ત્રોતો સાથે, કોઈપણ બિંદુ પર પ્રતિભાવ દરેક સ્ત્રોત એકલા કાર્ય કરતા હોય ત્યારે થતા પ્રતિભાવોના સરવાળા બરાબર હોય છે |
પ્રક્રિયા | 1. એક સમયે એક સ્ત્રોત ધ્યાનમાં લો 2. અન્ય વોલ્ટેજ સ્ત્રોતોને શોર્ટ સર્કિટથી બદલો 3. અન્ય કરંટ સ્ત્રોતોને ઓપન સર્કિટથી બદલો 4. વ્યક્તિગત પ્રતિભાવો શોધો 5. બધા પ્રતિભાવોને બીજગણિતીય રીતે ઉમેરો |
મર્યાદા | માત્ર લિનિયર સર્કિટ્સ અને વોલ્ટેજ/કરંટ પ્રતિભાવો માટે જ લાગુ |
આકૃતિ:
graph LR A[Original Circuit] --> B[Circuit with V₁ only] A --> C[Circuit with V₂ only] B --> D[Response R₁] C --> E[Response R₂] D --> F[Total Response = R₁ + R₂] E --> F
સરળ રીત: “SUPER: સોર્સિસ યુઝ્ડ પ્રોગ્રેસિવલી ઈક્વલ્સ રિસ્પોન્સ”
પ્રશ્ન 3(b) OR [4 marks]#
કોઈપણ સર્કિટનો ઉપયોગ કરીને ડ્યુઅલ નેટવર્ક દોરવાની પદ્ધતિ સમજાવો.
જવાબ:
સ્ટેપ | વર્ણન |
---|---|
ગ્રાફમાં રૂપાંતરણ | સર્કિટને પ્લેનર ગ્રાફ તરીકે દોરો |
ડ્યુઅલ ગ્રાફ દોરો | મૂળ ગ્રાફના દરેક ક્ષેત્રમાં એક નોડ મૂકો |
નોડ્સ જોડો | મૂળ ગ્રાફની દરેક એજને ક્રોસ કરતી એજ દોરો |
ઘટકોને બદલો | - રેઝિસ્ટન્સ R કન્ડક્ટન્સ 1/R બને - વોલ્ટેજ સોર્સ કરંટ સોર્સ બને - સિરીઝ પેરેલલ બને - ઇમ્પીડન્સ Z એડમિટન્સ 1/Z બને |
આકૃતિ:
સરળ રીત: “DVSG: ડ્યુઅલ ટ્રાન્સફોર્મ્સ વોલ્ટેજ ટુ સિરીઝ ટુ ગ્રાફ્સ”
પ્રશ્ન 3(c) OR [7 marks]#
ઉપર આપેલ નેટવર્ક માટે નોર્ટનની ઇક્વીવેલન્ટ સર્કિટ શોધો. લોડ કરંટ શોધો જો (i) RL=3 KΩ (ii) RL=1.5 Ω
જવાબ:
આકૃતિ:
સ્ટેપ 1: નોર્ટનનો કરંટ (IN) શોધો સ્ટેપ 2: નોર્ટનનું રેઝિસ્ટન્સ (RN) શોધો સ્ટેપ 3: લોડ કરંટ્સ ગણો
સ્ટેપ | ગણતરી | પરિણામ |
---|---|---|
IN | A થી B સુધીનો શોર્ટ સર્કિટ કરંટ | 1.25 mA |
RN | A થી B સુધી જોવાતું ઇક્વિવેલન્ટ રેઝિસ્ટન્સ જ્યારે 10V સ્ત્રોત શોર્ટ કરવામાં આવે | 1 kΩ |
IL (RL = 3 KΩ) | IL = IN × RN/(RN + RL) = 1.25 × 1/(1 + 3) | 0.31 mA |
IL (RL = 1.5 Ω) | IL = IN × RN/(RN + RL) = 1.25 × 1000/(1000 + 1.5) | 1.25 mA |
સરળ રીત: “NICE: નોર્ટન્સ સર્કિટ ઈઝ કરંટ ઈક્વિવેલન્ટ”
પ્રશ્ન 4(a) [3 marks]#
કોઇલ માટે ક્વોલિટી ફેક્ટર Q નું સમીકરણ મેળવો.
જવાબ:
પેરામીટર | સંબંધ |
---|---|
Q ફેક્ટર વ્યાખ્યા | સંગ્રહિત ઊર્જા અને પ્રતિ ચક્ર વેડફાતી ઊર્જાનો ગુણોત્તર |
કોઇલ ઇમ્પીડન્સ | Z = R + jωL |
રિએક્ટન્સ | XL = ωL |
ક્વોલિટી ફેક્ટર | Q = XL/R = ωL/R |
આકૃતિ:
કોઇલ માટે, સંગ્રહિત ઊર્જા ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં (ઇન્ડક્ટરમાં) હોય છે, જ્યારે વેડફાતી ઊર્જા રેઝિસ્ટન્સમાં હોય છે. આમાંથી:
Q = 2π × (સંગ્રહિત ઊર્જા)/(પ્રતિ ચક્ર વેડફાતી ઊર્જા) Q = ωL/R
સરળ રીત: “QREL: ક્વોલિટી રિલેટ્સ એનર્જી ટુ લોસ”
પ્રશ્ન 4(b) [4 marks]#
શ્રેણી RLC સર્કિટમાં R=30 Ω, L=0.5 H અને C=5 µF છે. (i)Q પરિબળ, (ii) BW, (iii) અપર કટ ઓફ અને લોઅર કટ ઓફ ફ્રીક્વન્સીઝની ગણતરી કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
graph LR A[Input] --- B[R=30Ω] --- C[L=0.5H] --- D[C=5µF] --- E[Output]
પેરામીટર | સૂત્ર | ગણતરી | પરિણામ |
---|---|---|---|
રેઝોનન્ટ ફ્રીક્વન્સી (f₀) | f₀ = 1/(2π√LC) | 1/(2π√(0.5×5×10⁻⁶)) | 100.53 Hz |
Q ફેક્ટર | Q = (1/R)√(L/C) | (1/30)√(0.5/(5×10⁻⁶)) | 105.57 |
બેન્ડવિડ્થ (BW) | BW = f₀/Q | 100.53/105.57 | 0.952 Hz |
લોઅર કટઓફ (f₁) | f₁ = f₀ - BW/2 | 100.53 - 0.952/2 | 100.05 Hz |
અપર કટઓફ (f₂) | f₂ = f₀ + BW/2 | 100.53 + 0.952/2 | 101.01 Hz |
સરળ રીત: “QBCUT: ક્વોલિટી બેન્ડવિડ્થ કટઓફ યુનિકલી રિલેટેડ”
પ્રશ્ન 4(c) [7 marks]#
મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્ટન્સના કો-એફીસીએન્ટ સાથે મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્ટન્સ સમજાવો. K નું સમીકરણ પણ મેળવો.
જવાબ:
વિભાવના | વર્ણન |
---|---|
મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્ટન્સ (M) | ગુણધર્મ જ્યાં એક કોઇલમાં કરંટ બદલાવથી પાસેની કોઇલમાં વોલ્ટેજ ઉત્પન્ન થાય છે |
વ્યાખ્યા | પ્રાથમિક કોઇલમાં કરંટના બદલાવના દરના સાપેક્ષ ગૌણ કોઇલમાં પ્રેરિત વોલ્ટેજનો ગુણોત્તર |
સૂત્ર | M = k√(L₁L₂) |
કપલિંગ ગુણાંક (k) | કોઇલ્સ વચ્ચે ચુંબકીય કપલિંગનું માપ (0 ≤ k ≤ 1) |
આકૃતિ:
graph LR A[I₁] --- B[L₁] --- C D[I₂] --- E[L₂] --- F G[Mutual Inductance M] -.-> B G -.-> E
બે ઇન્ડક્ટર્સ L₁ અને L₂ માટે, મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્ટન્સ M છે: M = k√(L₁L₂)
જ્યાં કપલિંગ ગુણાંક k છે: k = M/√(L₁L₂)
k એક કોઇલથી બીજી કોઇલ સાથે જોડાતા ચુંબકીય ફ્લક્સના અંશનું પ્રતિનિધિત્વ કરે છે. સંપૂર્ણ કપલ કોઇલ્સ માટે, k = 1 કોઈ કપલિંગ નથી ત્યારે, k = 0
સરળ રીત: “MKL: મ્યુચ્યુઅલ કપલિંગ K લિંક્સ ઇન્ડક્ટર્સ”
પ્રશ્ન 4(a) OR [3 marks]#
કપલ સર્કિટ માટેકપ્લીંગના પ્રકારો સમજાવો.
જવાબ:
કપલિંગના પ્રકાર | લક્ષણો | ઉપયોગો |
---|---|---|
ટાઇટ/ક્લોઝ કપલિંગ (k≈1) | - લગભગ બધો ફ્લક્સ બંને કોઇલ્સને જોડે છે - ઉચ્ચ ટ્રાન્સફર ક્ષમતા - k મૂલ્ય 1 ની નજીક | ટ્રાન્સફોર્મર્સ, પાવર ટ્રાન્સફર |
લૂઝ કપલિંગ (k≪1) | - ફ્લક્સનો નાનો અંશ બીજી કોઇલને જોડે છે - ઓછી ટ્રાન્સફર ક્ષમતા - k મૂલ્ય 1 કરતા ઘણું ઓછું | RF સર્કિટ્સ, ટ્યુન્ડ ફિલ્ટર્સ |
ક્રિટિકલ કપલિંગ (k=kc) | - બેન્ડપાસ પ્રતિભાવ માટે શ્રેષ્ઠ કપલિંગ - રેઝોનન્સ પર મહત્તમ પાવર ટ્રાન્સફર | બેન્ડપાસ ફિલ્ટર્સ, IF ટ્રાન્સફોર્મર્સ |
ઇન્ડક્ટિવ કપલિંગ | - ચુંબકીય ક્ષેત્ર દ્વારા કપલિંગ | ટ્રાન્સફોર્મર્સ, વાયરલેસ ચાર્જિંગ |
કેપેસિટિવ કપલિંગ | - વિદ્યુત ક્ષેત્ર દ્વારા કપલિંગ | સિગ્નલ કપલિંગ, કેપેસિટિવ સેન્સર્સ |
આકૃતિ:
graph LR subgraph "Tight Coupling" A1[Primary] --- B1[k ≈ 1] --- C1[Secondary] end subgraph "Loose Coupling" A2[Primary] --- B2[k ≪ 1] --- C2[Secondary] end subgraph "Critical Coupling" A3[Primary] --- B3[k = kc] --- C3[Secondary] end
સરળ રીત: “TLC: ટાઇટ, લૂઝ, ક્રિટિકલ કપલિંગ્સ”
પ્રશ્ન 4(b) OR [4 marks]#
ગુણવત્તા પરિબળ Q = 100, રેઝોનન્ટ ફ્રિકવન્સી Fr = 100 KHz સાથે 1 mH નું ઇન્ડક્ટન્સ ધરાવતું સમાંતર રેઝોનન્ટ સર્કિટ. શોધો (i) જરૂરી કેપેસીટન્સ C, (ii) કોઇલનો પ્રતિકાર R, (iii) BW.
જવાબ:
આકૃતિ:
graph TD A[Input] --- B((Node)) B --- C[L=1mH] B --- D[C=?] B --- E[Output] C --- F[R=?]
પેરામીટર | સૂત્ર | ગણતરી | પરિણામ |
---|---|---|---|
કેપેસિટન્સ (C) | C = 1/(4π²f²L) | 1/(4π²×(100×10³)²×1×10⁻³) | 2.533 nF |
કોઇલ રેઝિસ્ટન્સ (R) | R = ωL/Q | 2π×100×10³×1×10⁻³/100 | 6.28 Ω |
બેન્ડવિડ્થ (BW) | BW = fr/Q | 100×10³/100 | 1 kHz |
સરળ રીત: “RCB: રેઝોનન્સ નીડ્સ કેપેસિટન્સ એન્ડ બેન્ડવિડ્થ”
પ્રશ્ન 4(c) OR [7 marks]#
series RLC સર્કિટની Band width અને Selectivity સમજાવો. શ્રેણી રેઝોનન્સ સર્કિટ માટે Q પરિબળ અને BW વચ્ચેનો સંબંધ પણ સ્થાપિત કરો.
જવાબ:
પેરામીટર | વ્યાખ્યા | સંબંધ |
---|---|---|
બેન્ડવિડ્થ (BW) | હાફ-પાવર પોઇન્ટ્સ વચ્ચેનો ફ્રીક્વન્સી રેન્જ | BW = f₂ - f₁ = ω₂ - ω₁ = R/L |
સિલેક્ટિવિટી | વિવિધ ફ્રીક્વન્સીઓના સિગ્નલ્સને અલગ કરવાની ક્ષમતા | BW સાથે વ્યસ્ત પ્રમાણમાં |
Q ફેક્ટર | રેઝોનન્ટ ફ્રીક્વન્સીનો બેન્ડવિડ્થ સાથેનો ગુણોત્તર | Q = ω₀/BW = ω₀L/R |
આકૃતિ:
graph LR A[Input] --- B[R] --- C[L] --- D[C] --- E[Output] subgraph "Frequency Response" F[Amplitude] --- G[f₀] H[BW = f₂ - f₁] -.-> G end
સિરીઝ RLC સર્કિટ માટે:
- રેઝોનન્સ (f₀) પર, ઇમ્પીડન્સ ન્યૂનતમ છે (= R)
- હાફ-પાવર પોઇન્ટ્સ ત્યારે આવે છે જ્યારે ઇમ્પીડન્સ = √2×R
- આ બિંદુઓ પર, પાવર મહત્તમ પાવરનો અડધો હોય છે
બેન્ડવિડ્થ (BW) = ω₂ - ω₁ = R/L Q ફેક્ટર = ω₀L/R = ω₀/BW
તેથી, BW = ω₀/Q = 2πf₀/Q
આ દર્શાવે છે કે Q ફેક્ટર અને બેન્ડવિડ્થ વ્યસ્ત રીતે સંબંધિત છે: ઉચ્ચ Q → સાંકડી બેન્ડવિડ્થ → વધુ સારી સિલેક્ટિવિટી
સરળ રીત: “BQS: બેન્ડવિડ્થ અને Q નક્કી કરે છે સિલેક્ટિવિટી”
પ્રશ્ન 5(a) [3 marks]#
40 ડીબીનું એટેન્યુએશન આપવા અને 300 Ω પ્રતિકારના લોડમાં કામ કરવા માટે સપ્રમાણ T પ્રકારના એટેન્યુએટરને ડિઝાઇન કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
graph LR A[Input] --- B[Z₁/2] --- C((Node)) --- D[Z₁/2] --- E[Output] C --- F[Z₂] --- G[Ground] H[300Ω] -.-> E
પેરામીટર | સૂત્ર | ગણતરી | પરિણામ |
---|---|---|---|
એટેન્યુએશન (N) | N = 10^(dB/20) | 10^(40/20) | 100 |
ઇમ્પીડન્સ રેશિયો (K) | K = (N+1)/(N-1) | (100+1)/(100-1) | 1.02 |
Z₁ | Z₁ = R₀[(K-1)/K] | 300[(1.02-1)/1.02] | 5.88 Ω |
Z₂ | Z₂ = R₀[2K/(K²-1)] | 300[2×1.02/(1.02²-1)] | 594.12 Ω |
સરળ રીત: “TANZ: T-એટેન્યુએટર નીડ્સ Z-પેરામીટર્સ”
પ્રશ્ન 5(b) [4 marks]#
ફિલ્ટર્સનું વર્ગીકરણ આપો.
જવાબ:
વર્ગીકરણ | પ્રકારો | લક્ષણો |
---|---|---|
ફ્રીક્વન્સી રિસ્પોન્સ આધારિત | - લો પાસ - હાઇ પાસ - બેન્ડ પાસ - બેન્ડ સ્ટોપ | - કટઓફ નીચેની ફ્રીક્વન્સી પસાર કરે - કટઓફ ઉપરની ફ્રીક્વન્સી પસાર કરે - બેન્ડની અંદરની ફ્રીક્વન્સી પસાર કરે - બેન્ડની અંદરની ફ્રીક્વન્સી અવરોધે |
ઘટકો આધારિત | - પેસિવ ફિલ્ટર્સ - એક્ટિવ ફિલ્ટર્સ | - R, L, C ઘટકોનો ઉપયોગ - RC સાથે એક્ટિવ ડિવાઇસનો ઉપયોગ |
ડિઝાઇન અભિગમ આધારિત | - કન્સ્ટન્ટ-k ફિલ્ટર્સ - m-ડેરાઇવ્ડ ફિલ્ટર્સ - કમ્પોઝિટ ફિલ્ટર્સ | - સરળતમ ડિઝાઇન - વધુ સારા કટઓફ લક્ષણો - ફાયદાઓનું સંયોજન |
ટેકનોલોજી આધારિત | - LC ફિલ્ટર્સ - ક્રિસ્ટલ ફિલ્ટર્સ - સેરામિક ફિલ્ટર્સ - ડિજિટલ ફિલ્ટર્સ | - ઇન્ડક્ટર અને કેપેસિટરનો ઉપયોગ - પિઝોઇલેક્ટ્રિક ક્રિસ્ટલનો ઉપયોગ - પિઝોઇલેક્ટ્રિક સેરામિકનો ઉપયોગ - સોફ્ટવેરમાં અમલીકરણ |
આકૃતિ:
graph TD A[Filters] --> B[Frequency Response] A --> C[Components] A --> D[Design Approach] A --> E[Technology] B --> F[Low Pass] B --> G[High Pass] B --> H[Band Pass] B --> I[Band Stop]
સરળ રીત: “FLAC: ફિલ્ટર્સ: લો-પાસ, એક્ટિવ, કન્સ્ટન્ટ-k”
પ્રશ્ન 5(c) [7 marks]#
constant K લો પાસ ફિલ્ટર સમજાવો.
જવાબ:
વિભાવના | વર્ણન |
---|---|
વ્યાખ્યા | ફિલ્ટર જેમાં ઇમ્પીડન્સ પ્રોડક્ટ Z₁Z₂ = k² (અચળ) દરેક ફ્રીક્વન્સી પર |
સર્કિટ પ્રકાર | T-સેક્શન અને π-સેક્શન |
T-સેક્શન ઘટકો | સિરીઝ ઇન્ડક્ટર્સ (L/2) અને શન્ટ કેપેસિટર (C) |
π-સેક્શન ઘટકો | સિરીઝ ઇન્ડક્ટર (L) અને શન્ટ કેપેસિટર્સ (C/2) |
કટઓફ ફ્રીક્વન્સી | fc = 1/π√(LC) |
કેરેક્ટરિસ્ટિક ઇમ્પીડન્સ | R₀ = √(L/C) |
આકૃતિ:
graph LR subgraph "T-section" A1[Input] --- B1[L/2] --- C1((Node)) --- D1[L/2] --- E1[Output] C1 --- F1[C] --- G1[Ground] end subgraph "π-section" A2[Input] --- B2((Node)) B2 --- C2[C/2] --- G2[Ground] B2 --- D2[L] --- E2((Node)) --- F2[Output] E2 --- H2[C/2] --- G2 end
કન્સ્ટન્ટ-k લો પાસ ફિલ્ટરના લક્ષણો:
- કટઓફ ફ્રીક્વન્સી: fc = 1/π√(LC)
- ડિઝાઇન ઇમ્પીડન્સ: R₀ = √(L/C)
- પાસ બેન્ડ: 0 થી fc
- એટેન્યુએશન બેન્ડ: fc ઉપર
- પાસ બેન્ડથી સ્ટોપ બેન્ડ સુધી ક્રમશઃ સંક્રમણ
સરળ રીત: “CLPT: કન્સ્ટન્ટ-k લો પાસ નીડ્સ T-સેક્શન”
પ્રશ્ન 5(a) OR [3 marks]#
400 Ω ના લોડ પ્રતિકાર સાથે 1.5 KHz ની કટ-ઓફ આવર્તન ધરાવતા T વિભાગ સાથે ઉચ્ચ પાસ ફિલ્ટર ડિઝાઇન કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
graph LR A[Input] --- B[C/2] --- C((Node)) --- D[C/2] --- E[Output] C --- F[L] --- G[Ground] H[400Ω] -.-> E
પેરામીટર | સૂત્ર | ગણતરી | પરિણામ |
---|---|---|---|
ડિઝાઇન ઇમ્પીડન્સ (R₀) | R₀ = લોડ રેઝિસ્ટન્સ | આપેલ | 400 Ω |
કટઓફ ફ્રીક્વન્સી (fc) | fc = આપેલ | આપેલ | 1.5 kHz |
ઇન્ડક્ટર (L) | L = R₀/2πfc | 400/(2π×1500) | 42.44 mH |
કેપેસિટર (C) | C = 1/(2πfcR₀) | 1/(2π×1500×400) | 0.265 µF |
સરળ રીત: “HCL: હાઇ-પાસ નીડ્સ કેપેસિટર એન્ડ ઇન્ડક્ટર”
પ્રશ્ન 5(b) OR [4 marks]#
એટેન્યુએટરનું વર્ગીકરણ આપો.
જવાબ:
વર્ગીકરણ | પ્રકારો | લક્ષણો |
---|---|---|
કન્ફિગરેશન આધારિત | - T-એટેન્યુએટર - π-એટેન્યુએટર - બ્રિજ્ડ-T - લેટિસ | - સિરીઝ-શન્ટ-સિરીઝ - શન્ટ-સિરીઝ-શન્ટ - બેલેન્સ્ડ બ્રિજ - બેલેન્સ્ડ નેટવર્ક |
સિમેટ્રી આધારિત | - સિમેટ્રિકલ - એસિમેટ્રિકલ | - સમાન ઇમ્પીડન્સ - અસમાન ઇમ્પીડન્સ |
નિયંત્રણ આધારિત | - ફિક્સ્ડ - વેરિએબલ - પ્રોગ્રામેબલ | - અચળ એટેન્યુએશન - સમાયોજ્ય એટેન્યુએશન - ડિજિટલી નિયંત્રિત |
ટેકનોલોજી આધારિત | - રેઝિસ્ટિવ - રિએક્ટિવ - એક્ટિવ | - રેઝિસ્ટરનો ઉપયોગ - રિએક્ટન્સનો ઉપયોગ - એક્ટિવ ડિવાઇસનો ઉપયોગ |
આકૃતિ:
graph TD A[Attenuators] --> B[Configuration] A --> C[Symmetry] A --> D[Control] A --> E[Technology] B --> F[T-type] B --> G[π-type] B --> H[Bridged-T] B --> I[Lattice]
સરળ રીત: “CAST: કન્ફિગરેશન, એડજસ્ટેબલ, સિમેટ્રી, ટેકનોલોજી”
પ્રશ્ન 5(c) OR [7 marks]#
constant K હાઇ પાસ ફિલ્ટર સમજાવો.
જવાબ:
વિભાવના | વર્ણન |
---|---|
વ્યાખ્યા | કટઓફ ઉપરની ફ્રીક્વન્સી પસાર કરતું ફિલ્ટર, જેમાં Z₁Z₂ = k² (અચળ) |
સર્કિટ પ્રકાર | T-સેક્શન અને π-સેક્શન |
T-સેક્શન ઘટકો | સિરીઝ કેપેસિટર્સ (C/2) અને શન્ટ ઇન્ડક્ટર (L) |
π-સેક્શન ઘટકો | સિરીઝ કેપેસિટર (C) અને શન્ટ ઇન્ડક્ટર્સ (L/2) |
કટઓફ ફ્રીક્વન્સી | fc = 1/π√(LC) |
કેરેક્ટરિસ્ટિક ઇમ્પીડન્સ | R₀ = √(L/C) |
આકૃતિ:
graph LR subgraph "T-section" A1[Input] --- B1[C/2] --- C1((Node)) --- D1[C/2] --- E1[Output] C1 --- F1[L] --- G1[Ground] end subgraph "π-section" A2[Input] --- B2((Node)) B2 --- C2[L/2] --- G2[Ground] B2 --- D2[C] --- E2((Node)) --- F2[Output] E2 --- H2[L/2] --- G2 end
કન્સ્ટન્ટ-k હાઇ પાસ ફિલ્ટરના લક્ષણો:
- કટઓફ ફ્રીક્વન્સી: fc = 1/π√(LC)
- ડિઝાઇન ઇમ્પીડન્સ: R₀ = √(L/C)
- પાસ બેન્ડ: fc ઉપર
- એટેન્યુએશન બેન્ડ: 0 થી fc
- પાસ બેન્ડથી સ્ટોપ બેન્ડ સુધી ક્રમશઃ સંક્રમણ
- ઘટક મૂલ્યો લો પાસ ફિલ્ટરના ડ્યુઅલ છે (L અને C જગ્યા બદલે છે)
સરળ રીત: “CHTS: કન્સ્ટન્ટ-k હાઇ-પાસ યુઝિસ T-સેક્શન”