મુખ્ય સામગ્રી પર જાઓ
  1. સંસાધનો/
  2. અભ્યાસ સામગ્રી/
  3. ઇલેક્ટ્રોનિક્સ અને કમ્યુનિકેશન એન્જિનિયરિંગ/
  4. ઇસીઇ સેમેસ્ટર 6/

VLSI (4361102) - Summer 2025 Solution - ગુજરાતી

17 મિનિટ· ·
Study-Material Solutions Vlsi 4361102 2025 Summer
મિલવ ડબગર
લેખક
મિલવ ડબગર
ઇલેક્ટ્રિકલ અને ઇલેક્ટ્રોનિક મેન્યુફેક્ચરિંગ ઉદ્યોગમાં અનુભવી લેક્ચરર. એમ્બેડેડ સિસ્ટમ્સ, ઈમેજ પ્રોસેસિંગ, ડેટા સાયન્સ, મેટલેબ, પાયથન, STM32માં કુશળ. એલ.ડી. કોલેજ ઓફ એન્જિનિયરિંગ - અમદાવાદથી કમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સ એન્જિનિયરિંગમાં માસ્ટર્સ ડિગ્રી ધરાવતા મજબૂત શિક્ષણ વ્યાવસાયિક.
અનુક્રમણિકા

પ્રશ્ન 1(અ) [3 ગુણ]
#

સ્કેલિંગનું મહત્વ જણાવો

જવાબ: સ્કેલિંગ semiconductor technology ને આગળ વધારવા અને device performance સુધારવા માટે અત્યંત મહત્વપૂર્ણ છે.

સ્કેલિંગ ફાયદાવર્ણન
Device Sizeઊંચી density માટે transistor dimensions ઘટાડે છે
Speedટૂંકી channel length થી ઝડપી switching
Powerપ્રતિ operation ઓછો power consumption
Costવધુ chips per wafer, function દીઠ ઓછો cost
  • Technology advancement: Moore’s Law ચાલુ રાખવામાં સક્ષમ બનાવે છે
  • Performance boost: ઊંચી frequency operation શક્ય બનાવે છે
  • Market competitiveness: નાના, ઝડપી, સસ્તા products

યાદરાખવાની ટિપ: “Small Devices Speed Progress Cheaply”


પ્રશ્ન 1(બ) [4 ગુણ]
#

Planar MOSFET અને FINFET ની તુલના કરો

જવાબ: FinFET technology નાના nodes પર planar MOSFET ની મર્યાદાઓનો ઉકેલ આપે છે.

પેરામીટરPlanar MOSFETFinFET
Structure2D flat channel3D fin-shaped channel
Gate ControlSingle gateTri-gate/multi-gate
Short Channel Effectsનાના nodes પર ઊંચીનોંધપાત્ર રીતે ઓછી
Leakage Currentઊંચી subthreshold leakageખૂબ ઓછી leakage
  • Scalability: FinFET sub-22nm technology nodes શક્ય બનાવે છે
  • Power efficiency: FinFET વધુ સારો power-performance ratio આપે છે
  • Manufacturing: FinFET વધુ જટિલ fabrication માંગે છે

યાદરાખવાની ટિપ: “Fins Control Current Better Than Flat”


પ્રશ્ન 1(ક) [7 ગુણ]
#

N channel MOSFET ની VDS-ID અને VGS-ID લાક્ષણિકતાઓ દોરો અને સમજાવો

જવાબ: N-channel MOSFET characteristics અલગ અલગ operating regions માં device behavior દર્શાવે છે.

આકૃતિ:

VGS-IIVDDTChVaVGVrVGSGaVGS1ScGS2_tS3_e4_risticsV_DS-IDICDharaVcDtSeVLrGiiSns4et>aiVrcGsSR3e>gViGoSn2>VGS1_
પ્રદેશસ્થિતિકરંટ સમીકરણ
CutoffVGS < VTID = 0
LinearVDS < (VGS-VT)ID ∝ VDS
SaturationVDS ≥ (VGS-VT)ID ∝ (VGS-VT)²
  • થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ (VT): conduction માટે લઘુત્તમ VGS
  • Transconductance: saturation માં VGS-ID curve નો slope
  • આઉટપુટ પ્રતિકાર: saturation region માં વિપરીત slope

યાદરાખવાની ટિપ: “Threshold Gates Linear Saturation”


પ્રશ્ન 1(ક OR) [7 ગુણ]
#

એક્સટર્નલ બાયસ હેઠળ MOS પર ઉદ્ભવતી અલગ અલગ અસર સમજાવો

જવાબ: External bias અલગ અલગ charge distributions બનાવે છે જે MOS capacitor behavior ને અસર કરે છે.

આકૃતિ:

graph TD
    A[MOS Under Bias] --> B[Accumulation VG < 0]
    A --> C[Depletion 0 < VG < VT]
    A --> D[Inversion VG > VT]
    B --> E[સપાટી પર holes એકઠા થાય છે]
    C --> F[સપાટી carriers થી ખાલી]
    D --> G[Electron inversion layer બને છે]
બાયસ સ્થિતિસપાટીની સ્થિતિકેપેસિટન્સ
Accumulationસપાટી પર majority carriersઊંચી (Cox)
Depletionકોઈ mobile carriers નથીમધ્યમ
InversionMinority carriers channel બનાવે છેઊંચી (Cox)
  • ફ્લેટ બેન્ડ વોલ્ટેજ: કોઈ charge separation અસ્તિત્વમાં નથી
  • એનર્જી બેન્ડ બેન્ડિંગ: carrier distribution નક્કી કરે છે
  • સપાટીનો વિભવ: inversion layer formation નિયંત્રિત કરે છે

યાદરાખવાની ટિપ: “Accumulate, Deplete, then Invert”


પ્રશ્ન 2(અ) [3 ગુણ]
#

આદર્શ ઇન્વર્ટરની વોલ્ટેજ ટ્રાન્સફર લાક્ષણિકતા દોરો

જવાબ: આદર્શ ઇન્વર્ટર infinite gain સાથે logic levels વચ્ચે તીક્ષ્ણ પરિવર્તન આપે છે.

આકૃતિ:

VVOOUHTVILVIHVINVOL_
  • તીક્ષ્ણ પરિવર્તન: switching point પર infinite slope
  • નોઈઝ માર્જિન: NMH = VOH - VIH, NML = VIL - VOL
  • સંપૂર્ણ લોજિક લેવલ: VOH = VDD, VOL = 0V

યાદરાખવાની ટિપ: “Sharp Switch, Perfect Levels”


પ્રશ્ન 2(બ) [4 ગુણ]
#

નોઈઝ ઇમ્યુનિટી અને નોઈઝ માર્જિન સમજાવો

જવાબ: નોઈઝ ઇમ્યુનિટી circuit ની અનચાહેલા સિગ્નલ વેરિએશન ને નકારવાની ક્ષમતા માપે છે.

પેરામીટરવ્યાખ્યાફોર્મ્યુલા
NMHહાઈ-લેવલ નોઈઝ માર્જિનVOH - VIH
NMLલો-લેવલ નોઈઝ માર્જિનVIL - VOL
નોઈઝ ઇમ્યુનિટીનોઈઝ નકારવાની ક્ષમતાMin(NMH, NML)
  • લોજિક થ્રેશોલ્ડ લેવલ: VIH (input high), VIL (input low)
  • આઉટપુટ લેવલ: VOH (output high), VOL (output low)
  • વધુ સારી ઇમ્યુનિટી: મોટા નોઈઝ માર્જિન વધુ સારી સુરક્ષા આપે છે
  • ડિઝાઇન લક્ષ્ય: મજબૂત operation માટે નોઈઝ માર્જિન વધારવા

યાદરાખવાની ટિપ: “Margins Protect Against Noise”


પ્રશ્ન 2(ક) [7 ગુણ]
#

Saturated અને linear depletion load nMOS ઇન્વર્ટર સાથે ઇન્વર્ટર સર્કિટનું વર્ણન કરો

જવાબ: Depletion load nMOS ઇન્વર્ટર active load resistor તરીકે depletion transistor વાપરે છે.

આકૃતિ:

VINVDDMVGNTND(>MVDDTr0i(<vDee0rpV)lOeUtTionLoad)
લોડ પ્રકારગેટ કનેક્શનઓપરેશન
Saturated LoadVG = VDહંમેશા saturation માં
Linear LoadVG = VDDLinear region માં કામ કરી શકે છે
  • ડિપ્લીશન ડિવાઇસ: VGS = 0 સાથે વહન કરે છે, current source તરીકે કામ કરે છે
  • લોડ લાઇન વિશ્લેષણ: operating point intersection નક્કી કરે છે
  • પાવર કન્ઝ્યુમ્પશન: હંમેશા વહન કરે છે, ઊંચો static power
  • સ્વિચિંગ સ્પીડ: pull-up કરતાં pull-down ઝડપી

યાદરાખવાની ટિપ: “Depletion Loads Drive Outputs”


પ્રશ્ન 2(અ OR) [3 ગુણ]
#

એન્હાન્સમેન્ટ લોડ ઇન્વર્ટર દોરો અને સમજાવો

જવાબ: Enhancement load ઇન્વર્ટર ખાસ biasing સાથે enhancement MOSFET ને load તરીકે વાપરે છે.

આકૃતિ:

VINVDDMGNND(MVDETri(>vEen0rhV)aOnUcTementLoad)
  • બૂટસ્ટ્રેપ કનેક્શન: લોડ માટે gate ને drain સાથે જોડાયેલ
  • મર્યાદિત આઉટપુટ હાઈ: VOUT(max) = VDD - VT
  • થ્રેશોલ્ડ નુકસાન: Enhancement load વોલ્ટેજ ડ્રોપ કરાવે છે

યાદરાખવાની ટિપ: “Enhancement Loses Threshold”


પ્રશ્ન 2(બ OR) [4 ગુણ]
#

CMOS ઇન્વર્ટરના ફાયદા જણાવો

જવાબ: CMOS technology NMOS ઇન્વર્ટર કરતાં શ્રેષ્ઠ performance આપે છે.

ફાયદોલાભ
શૂન્ય સ્ટેટિક પાવરsteady state માં કોઈ current path નથી
રેલ-ટુ-રેલ આઉટપુટસંપૂર્ણ VDD અને 0V આઉટપુટ લેવલ
ઊંચી નોઈઝ ઇમ્યુનિટીમોટા નોઈઝ માર્જિન
સમપ્રમાણ સ્વિચિંગબરાબર rise અને fall times
  • પાવર એફિશિયન્સી: માત્ર switching દરમિયાન dynamic power
  • સ્કેલેબિલિટી: બધા technology nodes પર સારી રીતે કામ કરે છે
  • ફેન-આઉટ ક્ષમતા: અનેક inputs ડ્રાઇવ કરી શકે છે
  • તાપમાન સ્થિરતા: performance તાપમાન પર ઓછી સંવેદનશીલ

યાદરાખવાની ટિપ: “CMOS Saves Power Perfectly”


પ્રશ્ન 2(ક OR) [7 ગુણ]
#

CMOS ઇન્વર્ટરના ઓપરેટિંગ મોડ પ્રદેશ દોરો અને સમજાવો

જવાબ: CMOS ઇન્વર્ટર operation input voltage ના આધારે પાંચ અલગ અલગ regions સમાવે છે.

આકૃતિ:

graph TD
    A[CMOS Inverter Regions] --> B[Region 1: PMOS ON, NMOS OFF]
    A --> C[Region 2: બંને saturation માં]
    A --> D[Region 3: Switching point]
    A --> E[Region 4: બંને saturation માં]
    A --> F[Region 5: PMOS OFF, NMOS ON]
પ્રદેશNMOS સ્થિતિPMOS સ્થિતિઆઉટપુટ
1OFFLinearVOH ≈ VDD
2SaturationSaturationTransition
3SaturationSaturationVDD/2
4SaturationSaturationTransition
5LinearOFFVOL ≈ 0V
  • સ્વિચિંગ થ્રેશોલ્ડ: VTC region 3 પર VDD/2 ને પાર કરે છે
  • કરંટ ફ્લો: માત્ર transition regions 2,3,4 દરમિયાન
  • નોઈઝ માર્જિન: Regions 1 અને 5 ઇમ્યુનિટી આપે છે
  • ગેઇન: Region 3 માં મહત્તમ (switching point)

યાદરાખવાની ટિપ: “Five Regions Control CMOS Switching”


પ્રશ્ન 3(અ) [3 ગુણ]
#

CMOS વાપરીને બે ઇનપુટ NOR ગેટ દોરો

જવાબ: CMOS NOR ગેટ complementary networks વાપરીને De Morgan’s law અમલમાં મૂકે છે.

આકૃતિ:

AAVDDBGNBDMP1MP2MNY2=(A+B)'
  • પુલ-અપ નેટવર્ક: સીરીઝ PMOS transistors (હાઈ આઉટપુટ માટે A અને B બંને લો)
  • પુલ-ડાઉન નેટવર્ક: પેરેલલ NMOS transistors (લો આઉટપુટ માટે A અથવા B હાઈ)
  • લોજિક ફંક્શન: Y = (A+B)’ = A’ · B'

યાદરાખવાની ટિપ: “Series PMOS, Parallel NMOS”


પ્રશ્ન 3(બ) [4 ગુણ]
#

CMOS વાપરીને બૂલિયન ફંક્શન Z= [(A+B)C+DE]’ અમલ કરો

જવાબ: જટિલ CMOS લોજિક કાર્યક્ષમ અમલીકરણ માટે AOI (AND-OR-Invert) સ્ટ્રક્ચર વાપરે છે.

આકૃતિ:

ABCABDVDDGNDECEDZ
  • AOI સ્ટ્રક્ચર: કાર્યક્ષમ single-stage અમલીકરણ
  • ડ્યુઅલ નેટવર્ક: કોમ્પ્લિમેન્ટરી pull-up અને pull-down
  • લોજિક ઓપ્ટિમાઇઝેશન: અલગ ગેટ કરતાં ઓછા transistors

યાદરાખવાની ટિપ: “AOI Inverts Complex Logic Efficiently”


પ્રશ્ન 3(ક) [7 ગુણ]
#

પેરાસિટિક ડિવાઇસ કેપેસિટન્સ સાથે CMOS NAND2 ગેટ દોરો અને સમજાવો

જવાબ: CMOS ગેટમાં પેરાસિટિક કેપેસિટન્સ switching speed અને power consumption ને અસર કરે છે.

આકૃતિ:

CCCCAggdssdbbCGgN----AsDિ1GGDSVિaaroDttauDBeeirnctteootBotMSDoPCGિorB1gNuauBsDriluM2cnklCPekgY2:d1=GCN(gDAdCB2l)o'ad
કેપેસિટન્સસ્થાનઅસર
CgsGate-SourceInput capacitance
CgdGate-DrainMiller effect
CdbDrain-BulkOutput loading
CsbSource-BulkSource loading
  • સ્વિચિંગ વિલંબ: પેરાસિટિક કેપેસિટન્સ transitions ધીમા કરે છે
  • પાવર કન્ઝ્યુમ્પશન: પેરાસિટિક caps ચાર્જ/ડિસ્ચાર્જ કરવા
  • મિલર ઇફેક્ટ: Cgd feedback બનાવે છે, switching ધીમું કરે છે
  • લેઆઉટ ઓપ્ટિમાઇઝેશન: પેરાસિટિક કેપેસિટન્સ ઓછા કરવા

યાદરાખવાની ટિપ: “Parasitics Slow Gates Down”


પ્રશ્ન 3(અ OR) [3 ગુણ]
#

CMOS વાપરીને NOR આધારિત Clocked SR latch દોરો અને સમજાવો

જવાબ: Clocked SR latch synchronous operation માટે clock enable સાથે NOR gates વાપરે છે.

આકૃતિ:

graph LR
    S --> A[NOR1]
    CLK --> A
    A --> Q
    Q --> B[NOR2]
    R --> C[NOR3]
    CLK --> C
    C --> D[NOR4]
    D --> QB[Q']
    QB --> B
    B --> Q
  • ક્લોક કંટ્રોલ: S અને R માત્ર CLK = 1 હોય ત્યારે જ અસરકારક
  • ટ્રાન્સપેરન્ટ મોડ: clock સક્રિય હોય ત્યારે આઉટપુટ input ને અનુસરે છે
  • હોલ્ડ મોડ: clock નિષ્ક્રિય હોય ત્યારે આઉટપુટ સ્થિતિ જાળવે છે
  • મૂળભૂત બિલ્ડિંગ બ્લોક: flip-flops માટે પાયો

યાદરાખવાની ટિપ: “Clock Controls Transparent Latching”


પ્રશ્ન 3(બ OR) [4 ગુણ]
#

CMOS વાપરીને બૂલિયન ફંક્શન Z=[AB+C(D+E)]’ અમલ કરો

જવાબ: આ ફંક્શન AOI લોજિક સ્ટ્રક્ચર વાપરીને inverted sum-of-products અમલમાં મૂકે છે.

લોજિક વિશ્લેષણ:

  • મૂળ: Z = [AB + C(D+E)]'
  • વિસ્તૃત: Z = [AB + CD + CE]'
  • અમલીકરણ: ત્રણ AND terms NOR ને આપવામાં આવે છે
ટર્મઇનપુટ્સફંક્શન
ટર્મ 1A, BAB
ટર્મ 2C, DCD
ટર્મ 3C, ECE
આઉટપુટબધા terms(AB + CD + CE)'
  • AOI અમલીકરણ: સિંગલ સ્ટેજ, કાર્યક્ષમ ડિઝાઇન
  • ટ્રાન્ઝિસ્ટર કાઉન્ટ: અલગ ગેટ અમલીકરણ કરતાં ઓછા
  • પરફોર્મન્સ: ઝડપી switching, ઓછો power

યાદરાખવાની ટિપ: “Three AND Terms Feed One NOR”


પ્રશ્ન 3(ક OR) [7 ગુણ]
#

ઉદાહરણ સાથે AOI અને OAI લોજિકને અલગ પાડો

જવાબ: AOI અને OAI કાર્યક્ષમ CMOS અમલીકરણ માટે પૂરક લોજિક પરિવારો છે.

પેરામીટરAOI (AND-OR-Invert)OAI (OR-AND-Invert)
સ્ટ્રક્ચરAND gates → OR → InvertOR gates → AND → Invert
ફંક્શન(AB + CD + …)'((A+B)(C+D)…)'
PMOS નેટવર્કSeries-parallelParallel-series
NMOS નેટવર્કParallel-seriesSeries-parallel

AOI ઉદાહરણ: Y = (AB + CD)’

PNMMOOSS::SPearriaelsleAl-BA,pBarsaelrlieelswwiitthhSPearriaelsleCl-DC,D

OAI ઉદાહરણ: Y = ((A+B)(C+D))’

PNMMOOSS::PSaerrailelselA-AB,BpasrearlileeslwwiitthhPSaerrailelselC-CD,D
  • ડિઝાઇન પસંદગી: બૂલિયન ફંક્શન ફોર્મ આધારે પસંદ કરો
  • ઓપ્ટિમાઇઝેશન: ટ્રાન્ઝિસ્ટર કાઉન્ટ અને વિલંબ ઓછો કરે છે
  • દ્વૈતતા: AOI અને OAI De Morgan duals છે

યાદરાખવાની ટિપ: “AOI ANDs then ORs, OAI ORs then ANDs”


પ્રશ્ન 4(અ) [3 ગુણ]
#

વ્યાખ્યા આપો: 1) Regularity 2) Modularity 3) Locality

જવાબ: VLSI જટિલતાને સંચાલિત કરવા અને સફળ અમલીકરણ સુનિશ્ચિત કરવા માટે ડિઝાઇન હાયરાર્કી સિદ્ધાંતો આવશ્યક છે.

સિદ્ધાંતવ્યાખ્યાફાયદો
Regularityસમાન સ્ટ્રક્ચર્સનો વારંવાર ઉપયોગસરળ લેઆઉટ, ટેસ્ટિંગ
Modularityડિઝાઇનને નાના બ્લોક્સમાં વહેંચવુંસ્વતંત્ર ડિઝાઇન, પુનઃઉપયોગ
Localityમોટે ભાગે સ્થાનિક interconnectionsઓછી routing જટિલતા
  • ડિઝાઇન કાર્યક્ષમતા: સિદ્ધાંતો ડિઝાઇન સમય અને પ્રયાસ ઘટાડે છે
  • વેરિફિકેશન: મોડ્યુલર અભિગમ ટેસ્ટિંગ સરળ બનાવે છે
  • સ્કેલેબિલિટી: મોટા, વધુ જટિલ ડિઝાઇન્સ શક્ય બનાવે છે

યાદરાખવાની ટિપ: “Regular Modules Stay Local”


પ્રશ્ન 4(બ) [4 ગુણ]
#

CMOS ઇન્વર્ટર વાપરીને SR latch (NAND ગેટ) અમલ કરો

જવાબ: NAND ગેટ વાપરીને SR latch active-low inputs સાથે set-reset functionality આપે છે.

આકૃતિ:

graph LR
    S' --> A[NAND1]
    A --> Q
    Q --> B[NAND2]
    R' --> B
    B --> QB[Q']
    QB --> A

સત્ય કોષ્ટક:

S’R’QQ’સ્થિતિ
0110Set
1001Reset
11QQ'Hold
0011અમાન્ય
  • ક્રોસ-કપ્લ્ડ સ્ટ્રક્ચર: મેમરી ફંક્શન આપે છે
  • એક્ટિવ-લો ઇનપુટ્સ: S’ = 0 સેટ કરે છે, R’ = 0 રીસેટ કરે છે
  • પ્રતિબંધિત સ્થિતિ: બંને ઇનપુટ્સ એકસાથે લો

યાદરાખવાની ટિપ: “Cross-Coupled NANDS Remember State”


પ્રશ્ન 4(ક) [7 ગુણ]
#

VLSI ડિઝાઇન ફ્લો સમજાવો

જવાબ: VLSI ડિઝાઇન ફ્લો specification થી fabrication સુધીના વ્યવસ્થિત પગલાંઓ અનુસરે છે.

graph TD
    A[સિસ્ટમ સ્પેસિફિકેશન] --> B[આર્કિટેક્ચરલ ડિઝાઇન]
    B --> C[ફંક્શનલ ડિઝાઇન]
    C --> D[લોજિક ડિઝાઇન]
    D --> E[સર્કિટ ડિઝાઇન]
    E --> F[ફિઝિકલ ડિઝાઇન]
    F --> G[ફેબ્રિકેશન]
    G --> H[ટેસ્ટિંગ અને પેકેજિંગ]
લેવલપ્રવૃત્તિઓઆઉટપુટ
સિસ્ટમઆવશ્યકતા વિશ્લેષણસ્પેસિફિકેશન્સ
આર્કિટેક્ચરબ્લોક-લેવલ ડિઝાઇનસિસ્ટમ આર્કિટેક્ચર
લોજિકબૂલિયન ઓપ્ટિમાઇઝેશનગેટ નેટલિસ્ટ
સર્કિટટ્રાન્ઝિસ્ટર સાઇઝિંગસર્કિટ નેટલિસ્ટ
ફિઝિકલલેઆઉટ, routingGDSII ફાઇલ
  • ડિઝાઇન વેરિફિકેશન: દરેક લેવલે માન્યતા જરૂરી
  • પુનરાવર્તન: ઓપ્ટિમાઇઝેશન માટે ફીડબેક લૂપ્સ
  • CAD ટૂલ્સ: જટિલ ડિઝાઇન્સ માટે ઓટોમેશન આવશ્યક
  • ટાઇમ-ટુ-માર્કેટ: કાર્યક્ષમ ફ્લો ડિઝાઇન સાયકલ ઘટાડે છે

યાદરાખવાની ટિપ: “System Architects Love Circuit Physical Fabrication”


પ્રશ્ન 4(અ OR) [3 ગુણ]
#

Y-ચાર્ટ દોરો અને સમજાવો

જવાબ: Y-ચાર્ટ VLSI ડિઝાઇનમાં ત્રણ ડિઝાઇન ડોમેન અને તેમના abstraction levels દર્શાવે છે.

આકૃતિ:

graph TD
    A[Behavioral Domain] --> D[System Level]
    B[Structural Domain] --> D
    C[Physical Domain] --> D
    A --> E[Algorithm Level]
    B --> E
    C --> E
    A --> F[Gate Level]
    B --> F
    C --> F
  • ત્રણ ડોમેન: Behavioral (ફંક્શન), Structural (components), Physical (geometry)
  • એબ્સ્ટ્રેક્શન લેવલ: System → Algorithm → Gate → Circuit → Layout
  • ડિઝાઇન પદ્ધતિ: સમાન abstraction level પર ડોમેન વચ્ચે ફરવું

યાદરાખવાની ટિપ: “Behavior, Structure, Physics at All Levels”


પ્રશ્ન 4(બ OR) [4 ગુણ]
#

CMOS ઇન્વર્ટરનો ઉપયોગ કરીને clocked JK latch (NOR ગેટ) અમલ કરો

જવાબ: JK latch toggle ક્ષમતા સાથે SR latch ની પ્રતિબંધિત સ્થિતિ દૂર કરે છે.

આકૃતિ:

graph LR
    J --> A[AND1]
    CLK --> A
    QB --> A
    A --> B[NOR1]
    B --> Q
    Q --> C[NOR2]
    K --> D[AND2]
    CLK --> D
    Q --> D
    D --> C
    C --> QB[Q']

સત્ય કોષ્ટક:

JKQ(next)ઓપરેશન
00QHold
010Reset
101Set
11Q'Toggle
  • ટોગલ મોડ: J=K=1 આઉટપુટ સ્થિતિ ફ્લિપ કરે છે
  • ક્લોક એનેબલ: માત્ર CLK=1 હોય ત્યારે જ સક્રિય
  • ફીડબેક: ઇનપુટ્સ સક્ષમ કરવા માટે વર્તમાન આઉટપુટ વાપરે છે

યાદરાખવાની ટિપ: “JK Toggles, No Forbidden State”


પ્રશ્ન 4(ક OR) [7 ગુણ]
#

લિથોગ્રાફી, એચિંગ, જમાવટ, ઓક્સિડેશન, આયન પ્રત્યારોપણ, પ્રસરણ જેવા શબ્દો સમજાવો

જવાબ: Integrated circuits બનાવવા માટે આવશ્યક semiconductor fabrication processes.

પ્રક્રિયાહેતુપદ્ધતિ
લિથોગ્રાફીપેટર્ન ટ્રાન્સફરમાસ્ક દ્વારા UV exposure
એચિંગમેટેરિયલ રિમૂવલભીના/સૂકા રાસાયણિક પ્રક્રિયાઓ
જમાવટલેયર ઉમેરોCVD, PVD, sputtering
ઓક્સિડેશનઇન્સ્યુલેટર વૃદ્ધિથર્મલ/પ્લાઝ્મા ઓક્સિડેશન
આયન પ્રત્યારોપણડોપિંગ પરિચયઉચ્ચ-ઊર્જા આયન બોમ્બાર્ડમેન્ટ
પ્રસરણડોપન્ટ વિતરણઉચ્ચ તાપમાને ફેલાવો
  • પેટર્ન વ્યાખ્યા: લિથોગ્રાફી ડિવાઇસ લક્ષણો બનાવે છે
  • પસંદગીયુક્ત રિમૂવલ: એચિંગ અનચાહેલ મેટેરિયલ દૂર કરે છે
  • લેયર બિલ્ડિંગ: જમાવટ જરૂરી મેટેરિયલ ઉમેરે છે
  • ડોપિંગ કંટ્રોલ: પ્રત્યારોપણ અને પ્રસરણ junctions બનાવે છે
  • ગુણવત્તા નિયંત્રણ: દરેક પગલું અંતિમ ડિવાઇસ પરફોર્મન્સને અસર કરે છે

યાદરાખવાની ટિપ: “Light Etches Deposited Oxides, Ions Diffuse”


પ્રશ્ન 5(અ) [3 ગુણ]
#

વેરિલોગની મદદથી 2 ઇનપુટ XNOR ગેટને અમલમાં મૂકો

જવાબ: XNOR ગેટ ઇનપુટ્સ સમાન હોય ત્યારે ઊંચો આઉટપુટ આપે છે.

module xnor_gate(
    input a, b,
    output y
);
    assign y = ~(a ^ b);
endmodule
  • લોજિક ફંક્શન: Y = (A ⊕ B)’ = A’B’ + AB
  • સત્ય કોષ્ટક: ઇનપુટ્સ મેચ થાય ત્યારે આઉટપુટ ઊંચો
  • ઉપયોગ: સમાનતા તુલનાકાર, પેરિટી ચેકર

યાદરાખવાની ટિપ: “XNOR Equals Equal Inputs”


પ્રશ્ન 5(બ) [4 ગુણ]
#

વેરિલોગમાં CASE સ્ટેટમેન્ટનો ઉપયોગ કરીને એનકોડર (8:3) અમલ કરો

જવાબ: પ્રાયોરિટી એનકોડર 8-બિટ ઇનપુટને 3-બિટ બાઇનરી આઉટપુટમાં રૂપાંતરિત કરે છે.

module encoder_8to3(
    input [7:0] in,
    output reg [2:0] out
);
    always @(*) begin
        case(in)
            8'b00000001: out = 3'b000;
            8'b00000010: out = 3'b001;
            8'b00000100: out = 3'b010;
            8'b00001000: out = 3'b011;
            8'b00010000: out = 3'b100;
            8'b00100000: out = 3'b101;
            8'b01000000: out = 3'b110;
            8'b10000000: out = 3'b111;
            default: out = 3'b000;
        endcase
    end
endmodule
  • વન-હોટ એન્કોડિંગ: માત્ર એક ઇનપુટ બિટ ઊંચો હોવો જોઈએ
  • પ્રાયોરિટી સ્ટ્રક્ચર: ઊંચા બિટ્સ પ્રાધાન્ય લે છે
  • ડિફોલ્ટ કેસ: અમાન્ય ઇનપુટ સંયોજનો સંભાળે છે

યાદરાખવાની ટિપ: “One Hot Input, Binary Output”


પ્રશ્ન 5(ક) [7 ગુણ]
#

યોગ્ય ઉદાહરણો સાથે વેરિલોગમાં કેસ સ્ટેટમેન્ટ સમજાવો

જવાબ: CASE સ્ટેટમેન્ટ expression value આધારે મલ્ટિ-વે બ્રાન્ચિંગ આપે છે.

સિન્ટેક્સ:

case (expression)
    value1: statement1;
    value2: statement2;
    default: default_statement;
endcase

ઉદાહરણ 1 - 4:1 MUX:

module mux_4to1(
    input [1:0] sel,
    input [3:0] in,
    output reg out
);
    always @(*) begin
        case(sel)
            2'b00: out = in[0];
            2'b01: out = in[1];
            2'b10: out = in[2];
            2'b11: out = in[3];
        endcase
    end
endmodule

ઉદાહરણ 2 - 7-સેગમેન્ટ ડિકોડર:

case(digit)
    4'h0: segments = 7'b1111110;
    4'h1: segments = 7'b0110000;
    4'h2: segments = 7'b1101101;
    default: segments = 7'b0000000;
endcase
વેરિઅન્ટસિન્ટેક્સઉપયોગ કેસ
casecase(expr)સંપૂર્ણ મેચિંગ
casexcasex(expr)ડોન્ટ કેર (X)
casezcasez(expr)હાઈ-Z (Z)
  • કોમ્બિનેશનલ લોજિક: always @(*) બ્લોક વાપરો
  • સિક્વેન્શિયલ લોજિક: always @(posedge clk) વાપરો
  • ડિફોલ્ટ કેસ: સિન્થેસિસમાં લેચેસ અટકાવે છે
  • પેરેલલ ઇવેલ્યુએશન: બધા કેસ એકસાથે ચકાસાય છે

યાદરાખવાની ટિપ: “CASE Chooses Actions Systematically Everywhere”


પ્રશ્ન 5(અ OR) [3 ગુણ]
#

વેરિલોગ કોડનો ઉપયોગ કરીને full subtractor અમલ કરો

જવાબ: Full subtractor borrow input અને output સાથે બાઇનરી બાદબાકી કરે છે.

module full_subtractor(
    input a, b, bin,
    output diff, bout
);
    assign diff = a ^ b ^ bin;
    assign bout = (~a & b) | (~a & bin) | (b & bin);
endmodule

સત્ય કોષ્ટક:

ABBinDiffBout
00000
00111
01011
11111
  • અંતર: ત્રણેય ઇનપુટ્સનો XOR
  • ઉધાર: A < (B + Bin) હોય ત્યારે ઉત્પન્ન થાય છે

યાદરાખવાની ટિપ: “Subtract Borrows When Insufficient”


પ્રશ્ન 5(બ OR) [4 ગુણ]
#

વેરિલોગમાં Behavioural મોડેલિંગ શૈલીનો ઉપયોગ કરીને JK flipflop અમલ કરો

જવાબ: Behavioral modeling વાપરીને toggle ક્ષમતા સાથે JK flip-flop.

module jk_flipflop(
    input j, k, clk, reset,
    output reg q, qbar
);
    always @(posedge clk or posedge reset) begin
        if(reset) begin
            q <= 1'b0;
            qbar <= 1'b1;
        end
        else begin
            case({j,k})
                2'b00: q <= q;        // Hold
                2'b01: q <= 1'b0;     // Reset
                2'b10: q <= 1'b1;     // Set
                2'b11: q <= ~q;       // Toggle
            endcase
            qbar <= ~q;
        end
    end
endmodule
  • બિહેવિયરલ શૈલી: ફંક્શનનું વર્ણન કરે છે, સ્ટ્રક્ચરનું નહીં
  • સિંક્રોનસ રીસેટ: ક્લોક એજ પર રીસેટ
  • નોન-બ્લોકિંગ અસાઇનમેન્ટ: clocked always block માં <= વાપરો

યાદરાખવાની ટિપ: “JK Behavior: Hold, Reset, Set, Toggle”


પ્રશ્ન 5(ક OR) [7 ગુણ]
#

ઉદાહરણ આપીને વિવિધ વેરિલોગ મોડેલિંગ શૈલી સમજાવો

જવાબ: વેરિલોગ અલગ અલગ abstraction levels માટે ત્રણ મોડેલિંગ શૈલીઓ આપે છે.

શૈલીએબ્સ્ટ્રેક્શનવર્ણનકન્સ્ટ્રક્ટ્સ
Behavioralઊંચીફંક્શનનું વર્ણન કરે છેalways, if-else, case
Dataflowમધ્યમડેટા હલચલનું વર્ણન કરે છેassign, operators
Structuralનીચીકનેક્શન્સનું વર્ણન કરે છેmodule instantiation

1. બિહેવિયરલ મોડેલિંગ: સર્કિટ શું કરે છે તેનું વર્ણન કરે છે, કેવી રીતે બનાવેલ છે તે નહીં.

// 4-બિટ કાઉન્ટર
module counter(
    input clk, reset,
    output reg [3:0] count
);
    always @(posedge clk or posedge reset) begin
        if(reset)
            count <= 4'b0000;
        else
            count <= count + 1;
    end
endmodule

2. ડેટાફ્લો મોડેલિંગ: કોમ્બિનેશનલ લોજિક માટે સતત અસાઇનમેન્ટ વાપરે છે.

// 4-બિટ એડર
module adder_4bit(
    input [3:0] a, b,
    input cin,
    output [3:0] sum,
    output cout
);
    assign {cout, sum} = a + b + cin;
    assign overflow = (a[3] & b[3] & ~sum[3]) | 
                     (~a[3] & ~b[3] & sum[3]);
endmodule

3. સ્ટ્રક્ચરલ મોડેલિંગ: નીચલા-સ્તરના મોડ્યુલો instantiate અને કનેક્ટ કરે છે.

// હાફ એડર વાપરીને ફુલ એડર
module full_adder(
    input a, b, cin,
    output sum, cout
);
    wire s1, c1, c2;
    
    half_adder ha1(.a(a), .b(b), .sum(s1), .carry(c1));
    half_adder ha2(.a(s1), .b(cin), .sum(sum), .carry(c2));
    
    assign cout = c1 | c2;
endmodule

module half_adder(
    input a, b,
    output sum, carry
);
    assign sum = a ^ b;
    assign carry = a & b;
endmodule

તુલના કોષ્ટક:

પાસાંBehavioralDataflowStructural
જટિલતાઉચ્ચ-સ્તરમધ્યમ-સ્તરનીચલા-સ્તર
વાંચનીયતાસૌથી વાંચવા યોગ્યમધ્યમસૌથી ઓછી વાંચવા યોગ્ય
સિન્થેસિસટૂલ આધારિતસીધીસ્પષ્ટ
ડિબગિંગકઠિનમધ્યમસરળ
પુનઃઉપયોગઊંચોમધ્યમઊંચો

મિશ્રિત મોડેલિંગ ઉદાહરણ:

module cpu_alu(
    input [7:0] a, b,
    input [2:0] opcode,
    input clk,
    output reg [7:0] result
);
    // બિહેવિયરલ: કંટ્રોલ લોજિક
    always @(posedge clk) begin
        case(opcode)
            3'b000: result <= add_result;
            3'b001: result <= sub_result;
            3'b010: result <= and_result;
            default: result <= 8'h00;
        endcase
    end
    
    // ડેટાફ્લો: અંકગણિત ઓપરેશન્સ
    wire [7:0] add_result = a + b;
    wire [7:0] sub_result = a - b;
    wire [7:0] and_result = a & b;
    
    // સ્ટ્રક્ચરલ: સમર્પિત અંકગણિત યુનિટ્સ instantiate કરી શકાય
endmodule

ડિઝાઇન માર્ગદર્શિકા:

  • બિહેવિયરલ: જટિલ કંટ્રોલ લોજિક, સ્ટેટ મશીન માટે વાપરો
  • ડેટાફ્લો: સરળ કોમ્બિનેશનલ લોજિક માટે વાપરો
  • સ્ટ્રક્ચરલ: હાયરાર્કિકલ ડિઝાઇન્સ, IP integration માટે વાપરો
  • મિશ્રિત અભિગમ: શ્રેષ્ઠ ડિઝાઇન માટે શૈલીઓને જોડો

સિમ્યુલેશન વિ સિન્થેસિસ:

  • બિહેવિયરલ: અપેક્ષા મુજબ synthesize નહીં થઈ શકે
  • ડેટાફ્લો: સીધી હાર્ડવેર મેપિંગ
  • સ્ટ્રક્ચરલ: બાંયધરીકૃત સિન્થેસિસ મેચ

યાદરાખવાની ટિપ: “Behavior Describes, Dataflow Assigns, Structure Connects”

સંબંધિત

VLSI (4361102) - Summer 2024 Solution (Gujarati)
19 મિનિટ
Study-Material Solutions Vlsi 4361102 2024 Summer Gujarati
વાયરલેસ સેન્સર નેટવર્ક્સ અને IoT (4353201) - સમર 2025 સોલ્યુશન
32 મિનિટ
Study-Material Solutions Wireless-Sensor-Networks Iot 4353201 2025 Summer
ઇલેક્ટ્રોનિક્સ ડિવાઇસેસ અને સર્કિટ્સ (1323202) - સમર 2024 સોલ્યુશન
14 મિનિટ
Study-Material Solutions Electronics 1323202 2024 Summer
જાવા પ્રોગ્રામિંગ (4343203) - સમર 2024 સોલ્યુશન
18 મિનિટ
Study-Material Solutions Java-Programming 4343203 2024 Summer
ઇલેક્ટ્રોનિક કોમ્યુનિકેશનના સિદ્ધાંતો (4331104) - ઉનાળુ 2024 સોલ્યુશન
20 મિનિટ
Study-Material Solutions Electronic-Communication 4331104 2024 Summer
ડેટા સ્ટ્રક્ચર એન્ડ એપ્લિકેશન (1333203) - સમર 2024 સોલ્યુશન
19 મિનિટ
Study-Material Solutions Data-Structure 1333203 2024 Summer