ઇલેક્ટ્રોનિક સર્કિટ્સ અને નેટવર્ક્સ (4331101) - ઉનાળુ 2024 સોલ્યુશન
ઇલેક્ટ્રોનિક સર્કિટ્સ અને નેટવર્ક્સ (4331101) ઉનાળુ 2024 પરીક્ષા માટે સોલ્યુશન ગાઈડ
પ્રશ્ન 1(અ) [3 માર્ક્સ]
યોગ્ય આકૃતિ સાથે નોડ, બ્રાન્ચ અને લૂપ વ્યાખ્યાયિત કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
- નોડ: એક બિંદુ જ્યાં બે કે વધુ સર્કિટ તત્વો એકબીજા સાથે જોડાય છે
- બ્રાન્ચ: બે નોડ્સને જોડતું એક સિંગલ એલિમેન્ટ
- લૂપ: સર્કિટમાં કોઈપણ બંધ પાથ જ્યાં કોઈ નોડ એક કરતાં વધુ વખત આવતો નથી
મેમરી ટ્રીક: "NBA સર્કિટ" - Nodes જંક્શનો છે, Branches રસ્તાઓ છે, Loops વૈકલ્પિક માર્ગો છે
પ્રશ્ન 1(બ) [4 માર્ક્સ]
નેટવર્ક માટે "ટ્રી" અને "ગ્રાફ" સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| લક્ષણ | ગ્રાફ | ટ્રી |
|---|---|---|
| વ્યાખ્યા | નેટવર્કનું સંપૂર્ણ ટોપોલોજિકલ રજૂઆત | કનેક્ટેડ સબગ્રાફ જેમાં બધા નોડ્સ હોય પણ લૂપ ન હોય |
| તત્વો | બધી બ્રાન્ચ અને નોડ્સ ધરાવે છે | N-1 બ્રાન્ચ ધરાવે છે જ્યાં N નોડ્સની સંખ્યા છે |
| લૂપ્સ | લૂપ્સ ધરાવે છે | કોઈ લૂપ્સ નથી |
| ઉપયોગ | સંપૂર્ણ સર્કિટ એનાલિસિસ માટે વપરાય છે | નેટવર્ક ગણતરીઓને સરળ બનાવવા માટે વપરાય છે |
મેમરી ટ્રીક: "GRAND Tree" - Graph માં Routes And Nodes with Detours છે, Tree માં ફક્ત સિંગલ Routes છે
પ્રશ્ન 1(ક) [7 માર્ક્સ]
યોગ્ય આકૃતિનો ઉપયોગ કરી "મેષ કરંટ મેથડ" સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| પગલું | વર્ણન |
|---|---|
| 1 | સર્કિટમાં સ્વતંત્ર મેશ ઓળખો |
| 2 | મેશ કરંટ્સ (I₁, I₂, વગેરે) ઘડિયાળના કાંટાની દિશામાં અસાઇન કરો |
| 3 | દરેક મેશ માટે KVL લાગુ કરો |
| 4 | ઇક્વેશન્સ બનાવો: ΣR·I(સ્વયં) - ΣR·I(અડીને) = ΣV |
| 5 | સિમલ્ટેનિયસ ઇક્વેશન્સ ઉકેલો |
- ફાયદો: બ્રાન્ચ કરંટ મેથડ કરતાં ઓછા ઇક્વેશન્સ
- ઉપયોગ: પ્લેનર નેટવર્ક્સ માટે શ્રેષ્ઠ
- મર્યાદા: નોન-પ્લેનર નેટવર્ક્સ માટે ઓછું કાર્યક્ષમ
મેમરી ટ્રીક: "MIAMI" - Meshes Identified, Assign currents, Make equations, Intersection currents calculated, Solve કરો
પ્રશ્ન 1(ક) [7 માર્ક્સ (વિકલ્પ)]
યોગ્ય રેખાકૃતિનો ઉપયોગ કરીને "નોડ પેર વોલ્ટેજ પદ્ધતિ" સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| પગલું | વર્ણન |
|---|---|
| 1 | રેફરન્સ નોડ (ગ્રાઉન્ડ) પસંદ કરો |
| 2 | બાકીના નોડ્સને નોડ વોલ્ટેજ (V₁, V₂, વગેરે) અસાઇન કરો |
| 3 | દરેક નોડ પર KCL લાગુ કરો (રેફરન્સ સિવાય) |
| 4 | ઓહ્મના નિયમનો ઉપયોગ કરીને કરંટ્સને નોડ વોલ્ટેજમાં વ્યક્ત કરો |
| 5 | સિમલ્ટેનિયસ ઇક્વેશન્સ ઉકેલો |
- ફાયદો: ઘણા મેશવાળા સર્કિટ્સ માટે મેશ મેથડ કરતાં ઓછા ઇક્વેશન્સ
- ઉપયોગ: નોન-પ્લેનર સર્કિટ્સ માટે કાર્યક્ષમ
- મુખ્ય ઇક્વેશન: ΣG·V(સ્વયં) - ΣG·V(અડીને) = ΣI
મેમરી ટ્રીક: "GRAND" - Ground node fixed, Remaining nodes numbered, Apply KCL, Note voltage differences, Derive solutions
પ્રશ્ન 2(અ) [3 માર્ક્સ]
KCL ઉદાહરણ સાથે સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
કિરચોફનો કરંટ લૉ (KCL): કોઈપણ નોડ પર પ્રવેશતા અને છોડતા તમામ કરંટ્સનો અલજેબ્રાઇક સરવાળો શૂન્ય હોય છે.
| ગાણિતિક સ્વરૂપ | ઉદાહરણ ઉપયોગ |
|---|---|
| ΣI = 0 | નોડ પર: I₁ - I₂ - I₃ + I₄ = 0 |
| ΣIin = ΣIout | પ્રવેશતા કરંટ્સ = બહાર નીકળતા કરંટ્સ |
મેમરી ટ્રીક: "ZINC" - Zero Is Net Current at a node
પ્રશ્ન 2(બ) [4 માર્ક્સ]
યોગ્ય આકૃતિનો ઉપયોગ કરી Z-પેરામીટર, Y-પેરામીટર h-પેરામીટર અને ABCD-પેરામીટર સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
| પેરામીટર | વ્યાખ્યા | સમીકરણો | ઉપયોગ |
|---|---|---|---|
| Z | ઇમ્પિડન્સ પેરામીટર્સ | V₁ = Z₁₁I₁ + Z₁₂I₂, V₂ = Z₂₁I₁ + Z₂₂I₂ | હાઇ ઇમ્પિડન્સ સર્કિટ્સ |
| Y | એડમિટન્સ પેરામીટર્સ | I₁ = Y₁₁V₁ + Y₁₂V₂, I₂ = Y₂₁V₁ + Y₂₂V₂ | લો ઇમ્પિડન્સ સર્કિટ્સ |
| h | હાઇબ્રિડ પેરામીટર્સ | V₁ = h₁₁I₁ + h₁₂V₂, I₂ = h₂₁I₁ + h₂₂V₂ | ટ્રાન્ઝિસ્ટર સર્કિટ્સ |
| ABCD | ટ્રાન્સમિશન પેરામીટર્સ | V₁ = AV₂ - BI₂, I₁ = CV₂ - DI₂ | કેસ્કેડેડ નેટવર્ક્સ |
મેમરી ટ્રીક: "ZANY HAB" - Z for high impedance, A for low, hy-brid for transistors, ABCD for Cascades
પ્રશ્ન 2(ક) [7 માર્ક્સ]
π-ટાઈપ નેટવર્કને T-ટાઈપ નેટવર્ક અને T-ટાઈપ નેટવર્કને π-ટાઈપ નેટવર્કમાં રૂપાંતરિત કરવા માટેના સમીકરણો મેળવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| રૂપાંતરણ | ફોર્મ્યુલા |
|---|---|
| π થી T | Z₁ = (Z₁₂·Z₃₁)/(Z₁₂+Z₂₃+Z₃₁) Z₂ = (Z₁₂·Z₂₃)/(Z₁₂+Z₂₃+Z₃₁) Z₃ = (Z₂₃·Z₃₁)/(Z₁₂+Z₂₃+Z₃₁) |
| T થી π | Z₁₂ = (Z₁·Z₂+Z₂·Z₃+Z₃·Z₁)/Z₃ Z₂₃ = (Z₁·Z₂+Z₂·Z₃+Z₃·Z₁)/Z₁ Z₃₁ = (Z₁·Z₂+Z₂·Z₃+Z₃·Z₁)/Z₂ |
- ઉપયોગ: નેટવર્ક સરળીકરણ અને વિશ્લેષણ
- શરત: બંને નેટવર્ક્સ ટર્મિનલ્સ પર સમાન હોવા જોઈએ
- મર્યાદા: ફક્ત લીનિયર નેટવર્ક્સ માટે લાગુ પડે છે
મેમરી ટ્રીક: "TRIP" - T and π networks Relate Impedances through Products and sums
પ્રશ્ન 2(અ OR) [3 માર્ક્સ]
KVL ઉદાહરણ સાથે સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
કિરચોફનો વોલ્ટેજ લૉ (KVL): કોઈપણ બંધ લૂપમાં તમામ વોલ્ટેજનો અલજેબ્રાઇક સરવાળો શૂન્ય હોય છે.
| ગાણિતિક સ્વરૂપ | ઉદાહરણ ઉપયોગ |
|---|---|
| ΣV = 0 | લૂપમાં: V₁ - IR₁ - IR₂ - IR₃ = 0 |
| ΣVrises = ΣVdrops | વોલ્ટેજ વધારા = વોલ્ટેજ ઘટાડા |
મેમરી ટ્રીક: "ZERO" - Zero is Every voltage Round a loop's Output
પ્રશ્ન 2(બ OR) [4 માર્ક્સ]
વિવિધ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ નેટવર્કનું વર્ગીકરણ કરો અને સમજાવો.
જવાબ:
| નેટવર્ક પ્રકાર | વર્ણન | ઉદાહરણ |
|---|---|---|
| લીનિયર vs નોન-લીનિયર | સમાનુપાતિકતાના સિદ્ધાંતનું પાલન કરે/ન કરે | રેઝિસ્ટર્સ vs ડાયોડ્સ |
| પેસિવ vs એક્ટિવ | ઊર્જા પ્રદાન કરતા નથી/કરે છે | RC સર્કિટ vs એમ્પ્લિફાયર |
| બાયલેટરલ vs યુનિલેટરલ | બંને દિશામાં સમાન/અલગ ગુણધર્મો | રેઝિસ્ટર્સ vs ડાયોડ્સ |
| લમ્પ્ડ vs ડિસ્ટ્રિબ્યુટેડ | પેરામીટર્સ કેન્દ્રિત/ફેલાયેલા છે | RC સર્કિટ vs ટ્રાન્સમિશન લાઇન |
| ટાઇમ વેરિઅન્ટ vs ઇન્વેરિઅન્ટ | પેરામીટર્સ સમય સાથે બદલાય/ન બદલાય | ઇલેક્ટ્રોનિક સ્વિચ vs ફિક્સ્ડ રેઝિસ્ટર |
આકૃતિ:
મેમરી ટ્રીક: "PLANT" - Proportionality for Linear, Lively for Active, All directions for bilateral, Near for lumped, Time-fixed for invariant
પ્રશ્ન 2(ક OR) [7 માર્ક્સ]
T-નેટવર્ક અને π-નેટવર્ક માટે કૅરૅક્ટરીસટીક્સ ઇમપીડંસનું સમીકરણ મેળવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| નેટવર્ક | કૅરૅક્ટરીસટીક્સ ઇમપીડંસ સમીકરણ | મેળવવાના પગલાં |
|---|---|---|
| T-નેટવર્ક | Z₀T = √[(Z₁+Z₂)(Z₂+Z₃)] | 1. સિમેટ્રિકલ લોડ Z₀ લાગુ કરો 2. ઇનપુટ ઇમ્પીડન્સ શોધો 3. ઇમ્પીડન્સ મેચિંગ માટે, Zin = Z₀ 4. Z₀ માટે ઉકેલો |
| π-નેટવર્ક | Z₀π = 1/√[(Y₁+Y₃)(Y₂+Y₃)] | 1. સિમેટ્રિકલ લોડ Z₀ લાગુ કરો 2. ઇનપુટ ઇમ્પીડન્સ શોધો 3. ઇમ્પીડન્સ મેચિંગ માટે, Zin = Z₀ 4. Z₀ માટે ઉકેલો |
- સંબંધ: Z₀T × Z₀π = Z₁·Z₃
- ઉપયોગ: ઇમ્પીડન્સ મેચિંગ અને ફિલ્ટર્સ
- મર્યાદા: ફક્ત સિમેટ્રિકલ નેટવર્ક્સ માટે માન્ય
મેમરી ટ્રીક: "TIPSZ" - T-networks and π-networks Impedances are Products and Square roots of Z values
પ્રશ્ન 3(અ) [3 માર્ક્સ]
ડ્યુઆલિટી ના સિદ્ધાંતને ઉદાહરણ સાથે સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
ડ્યુઆલિટીનો સિદ્ધાંત: દરેક ઇલેક્ટ્રિકલ નેટવર્ક માટે, એક ડ્યુઅલ નેટવર્ક અસ્તિત્વમાં છે જ્યાં:
| ઓરિજિનલ | ડ્યુઅલ | ઉદાહરણ |
|---|---|---|
| વોલ્ટેજ (V) | કરંટ (I) | 10V સોર્સ → 10A સોર્સ |
| કરંટ (I) | વોલ્ટેજ (V) | 5A → 5V |
| રેઝિસ્ટન્સ (R) | કન્ડક્ટન્સ (G) | 100Ω → 100S |
| સીરીઝ કનેક્શન | પેરેલલ કનેક્શન | સીરીઝ રેઝિસ્ટર્સ → પેરેલલ કન્ડક્ટર્સ |
| KVL | KCL | ΣV = 0 → ΣI = 0 |
મેમરી ટ્રીક: "VIGOR" - Voltage to current, Impedance to admittance, Graph remains, Open to closed, Resistors to conductors
પ્રશ્ન 3(બ) [4 માર્ક્સ]
થેવેનિનના થિયરમનો ઉપયોગ કરીને સર્કિટમાં લોડ પ્રવાહની ગણતરી કરવાનાં પગલાં સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| પગલું | વર્ણન |
|---|---|
| 1 | સર્કિટમાંથી લોડ રેઝિસ્ટરને દૂર કરો |
| 2 | લોડ ટર્મિનલ વચ્ચે ઓપન-સર્કિટ વોલ્ટેજ (Vth) શોધો |
| 3 | સર્કિટમાં પાછા જોતા થેવેનિન રેઝિસ્ટન્સ (Rth) ગણો |
| 4 | થેવેનિન ઇક્વિવેલન્ટ સર્કિટ (Rth સાથે સીરીઝમાં Vth) દોરો |
| 5 | થેવેનિન સર્કિટ પર લોડ રેઝિસ્ટર (RL) ફરીથી જોડો |
| 6 | લોડ કરંટ ગણો: IL = Vth/(Rth+RL) |
મેમરી ટ્રીક: "REVOLT" - Remove load, Evaluate Voc, Obtain Rth, Look at Thevenin circuit, Use I = V/R formula
પ્રશ્ન 3(ક) [7 માર્ક્સ]
સુપરપોઝિશન થિયરમનો ઉપયોગ કરીને લોડ રેઝિસ્ટરમાંથી પસાર થતો વિદ્યુતપ્રવાહ શોધો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
કોષ્ટક: પગલા-દર-પગલા ઉકેલ:
| પગલું | વર્ણન | ગણતરી |
|---|---|---|
| 1 | ફક્ત 12V સોર્સ ધ્યાનમાં લો (12A ને ઓપન સાથે બદલો) | I₁ = 12/(4+6+10) = 0.6A 6Ω માંથી I₁ = 0.6A |
| 2 | ફક્ત 12A સોર્સ ધ્યાનમાં લો (12V ને શોર્ટ સાથે બદલો) | I₂ = -12×10/(4+10+6) = -6A 6Ω માંથી I₂ = -12×4/(4+10+6) = -2.4A |
| 3 | સુપરપોઝિશન લાગુ કરો | IL = I₁ + I₂ = 0.6 + (-2.4) = -1.8A |
જવાબ: IL = -1.8A (6Ω લોડ રેઝિસ્ટરમાં ઉપર તરફ વહેતો કરંટ)
મેમરી ટ્રીક: "SONAR" - Sources Only one at a time, Neutralize others, Add Results
પ્રશ્ન 3(અ OR) [3 માર્ક્સ]
મહત્તમ પાવર ટ્રાન્સફર થિયરમનું નિવેદન લખો. એસી અને ડીસી નેટવર્ક માટે મહત્તમ પાવર ટ્રાન્સફર માટેની શરતો શું છે?
જવાબ:
મહત્તમ પાવર ટ્રાન્સફર થિયરમ: જ્યારે લોડ ઇમ્પીડન્સ સોર્સ આંતરિક ઇમ્પીડન્સના કોમ્પ્લેક્સ કોન્જુગેટ જેટલી હોય ત્યારે સોર્સથી લોડમાં મહત્તમ પાવર ટ્રાન્સફર થાય છે.
| નેટવર્ક પ્રકાર | મહત્તમ પાવર ટ્રાન્સફર માટેની શરત |
|---|---|
| ડીસી નેટવર્ક્સ | RL = Rth (લોડ રેઝિસ્ટન્સ થેવેનિન રેઝિસ્ટન્સ જેટલી હોય) |
| એસી નેટવર્ક્સ | ZL = Zth* (લોડ ઇમ્પીડન્સ થેવેનિન ઇમ્પીડન્સના કોમ્પ્લેક્સ કોન્જુગેટ જેટલી હોય) RL = Rth અને XL = -Xth |
આકૃતિ:
goat
મેમરી ટ્રીક: "MATCH" - Maximum power At Terminals when Conjugate impedances are Honored
પ્રશ્ન 3(બ OR) [4 માર્ક્સ]
નોટોનના થિયરમનો ઉપયોગ કરીને સર્કિટમાં લોડ પ્રવાહની ગણતરી કરવાનાં પગલાં સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| પગલું | વર્ણન |
|---|---|
| 1 | સર્કિટમાંથી લોડ રેઝિસ્ટરને દૂર કરો |
| 2 | લોડ ટર્મિનલ્સ વચ્ચે શોર્ટ-સર્કિટ કરંટ (In) શોધો |
| 3 | સર્કિટમાં પાછા જોતા નોર્ટન રેઝિસ્ટન્સ (Rn) ગણો |
| 4 | નોર્ટન ઇક્વિવેલન્ટ સર્કિટ (Rn સાથે પેરેલલમાં In) દોરો |
| 5 | નોર્ટન સર્કિટ પર લોડ રેઝિસ્ટર (RL) ફરીથી જોડો |
| 6 | લોડ કરંટ ગણો: IL = In×Rn/(Rn+RL) |
મેમરી ટ્રીક: "SENIOR" - Short terminals, Evaluate Isc, Notice Rn value, Implement Norton circuit, Obtain result
પ્રશ્ન 3(ક OR) [7 માર્ક્સ]
આપેલ નેટવર્ક પર રેસીપ્રોસીટી થિયરમ કેવી રીતે લાગુ થાય છે તે દર્શાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
કોષ્ટક: રેસીપ્રોસીટી થિયરમ લાગુ કરવું:
| પગલું | સર્કિટ 1 | સર્કિટ 2 | ચકાસણી |
|---|---|---|---|
| 1 | ડાબી બાજુ 10V સોર્સ, જમણી બાજુ I₁ શોધો | જમણી બાજુ 10V સોર્સ, ડાબી બાજુ I₂ શોધો | I₁ = I₂ રેસીપ્રોસીટી પુષ્ટિ કરે છે |
| 2 | KVL વાપરીને મેશ ઇક્વેશન્સ બનાવો | બદલાયેલ સોર્સ માટે નવા મેશ ઇક્વેશન્સ બનાવો | બંને સિસ્ટમ ઉકેલો |
| 3 | I₁ = 10×2/(2×4 + 2×2 + 4×2) = 0.625A | I₂ = 10×2/(2×4 + 2×2 + 4×2) = 0.625A | I₁ = I₂ = 0.625A ✓ |
સિદ્ધાંત: બાયલેટરલ તત્વો ધરાવતા પેસિવ નેટવર્કમાં, જો બ્રાન્ચ 1માં વોલ્ટેજ સોર્સ E બ્રાન્ચ 2માં કરંટ I ઉત્પન્ન કરે, તો બ્રાન્ચ 2માં મૂકેલો તે જ વોલ્ટેજ સોર્સ E બ્રાન્ચ 1માં તે જ કરંટ I ઉત્પન્ન કરશે.
મેમરી ટ્રીક: "RESPECT" - Rewire sources, Exchange positions, See if currents Preserve Equality when Circuit Transformed
પ્રશ્ન 4(અ) [3 માર્ક્સ]
કપલ્ડ સર્કિટ સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
કપલ્ડ સર્કિટ: એક સર્કિટ જ્યાં મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્ટન્સ દ્વારા ઇન્ડક્ટર્સ વચ્ચે ઊર્જા ટ્રાન્સફર થાય છે.
| પેરામીટર | વર્ણન |
|---|---|
| મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્ટન્સ (M) | કોઇલ્સ વચ્ચે મેગ્નેટિક કપલિંગનું માપ |
| કપલિંગ કોઇફિશિયન્ટ (k) | k = M/√(L₁L₂), 0 (કોઈ કપલિંગ નહીં) થી 1 (પરફેક્ટ કપલિંગ) સુધી |
| ઉપયોગો | ટ્રાન્સફોર્મર, ફિલ્ટર્સ, ટ્યુન્ડ સર્કિટ્સ |
મેમરી ટ્રીક: "MICE" - Mutual Inductance Creates Energy transfer
પ્રશ્ન 4(બ) [4 માર્ક્સ]
કપલ્ડ સર્કિટ માટે co-efficient of coupling નું સમીકરણ મેળવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| પગલું | વર્ણન | સમીકરણ |
|---|---|---|
| 1 | મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્ટન્સ વ્યાખ્યાયિત કરો | M = N₂·φ₁₂/I₁ |
| 2 | સેલ્ફ-ઇન્ડક્ટન્સ વ્યાખ્યાયિત કરો | L₁ = N₁·φ₁₁/I₁, L₂ = N₂·φ₂₂/I₂ |
| 3 | મહત્તમ શક્ય M | Mmax = √(L₁·L₂) |
| 4 | કપલિંગ કોઇફિશિયન્ટ વ્યાખ્યાયિત કરો | k = M/√(L₁·L₂) |
- રેન્જ: 0 ≤ k ≤ 1
- ભૌતિક અર્થ: એક કોઇલનો કેટલો ફ્લક્સ બીજી કોઇલ સાથે લિંક થાય છે તેનું પ્રમાણ
- પરફેક્ટ કપલિંગ: k = 1, જ્યારે બધો ફ્લક્સ બંને કોઇલ્સને લિંક કરે છે
મેમરી ટ્રીક: "MASK" - Mutual inductance And Self inductances create K
પ્રશ્ન 4(ક) [7 માર્ક્સ]
સિરીઝ રેઝોનન્સ સર્કિટની રેઝોનન્સ ફ્રિક્વન્સીનું સમીકરણ તારવો. R=20Ω, L=1H, C=1μF સાથે સિરીઝ RLC સર્કિટની રેઝોનન્ટ ફ્રિક્વન્સી, Q ફેક્ટર અને બેન્ડવિડ્થની ગણતરી કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
મેળવણી:
| પગલું | વર્ણન | સમીકરણ |
|---|---|---|
| 1 | સિરીઝ RLC ની ઇમ્પીડન્સ | Z = R + j(ωL - 1/ωC) |
| 2 | રેઝોનન્સ પર, Im(Z) = 0 | ωL - 1/ωC = 0 |
| 3 | રેઝોનન્ટ ફ્રિક્વન્સી માટે ઉકેલો | ω₀ = 1/√(LC) અથવા f₀ = 1/(2π√(LC)) |
ગણતરીઓ:
| પેરામીટર | ફોર્મ્યુલા | ગણતરી | પરિણામ |
|---|---|---|---|
| રેઝોનન્ટ ફ્રિક્વન્સી | f₀ = 1/(2π√(LC)) | f₀ = 1/(2π√(1×10⁻⁶)) | 159.15 Hz |
| Q ફેક્ટર | Q = ω₀L/R | Q = 2π×159.15×1/20 | 50 |
| બેન્ડવિડ્થ | BW = f₀/Q | BW = 159.15/50 | 3.18 Hz |
મેમરી ટ્રીક: "FQBR" - Frequency from reactances, Q from resistance ratio, Bandwidth from Resonance divided by Q
પ્રશ્ન 4(અ OR) [3 માર્ક્સ]
Quality factor સમજાઓ.
જવાબ:
આકૃતિ:
ક્વોલિટી ફેક્ટર (Q): એક ડાયમેન્શનલેસ પેરામીટર જે બતાવે છે કે રેઝોનેટર કેટલો અન્ડર-ડેમ્પ્ડ છે, અથવા વૈકલ્પિક રીતે, રેઝોનેટરની બેન્ડવિડ્થ તેની કેન્દ્ર ફ્રિક્વન્સી સાપેક્ષે કેટલી છે.
| વ્યાખ્યા | ગાણિતિક અભિવ્યક્તિ |
|---|---|
| ઊર્જા પરિપ્રેક્ષ્ય | Q = 2π × સંગ્રહિત ઊર્જા / સાયકલ દીઠ વેડફાતી ઊર્જા |
| સર્કિટ પરિપ્રેક્ષ્ય | Q = X/R (જ્યાં X રિએક્ટન્સ છે, R રેઝિસ્ટન્સ છે) |
| ફ્રિક્વન્સી પરિપ્રેક્ષ્ય | Q = f₀/BW (જ્યાં f₀ રેઝોનન્ટ ફ્રિક્વન્સી છે, BW બેન્ડવિડ્થ છે) |
મેમરી ટ્રીક: "QSEL" - Quality shows Energy vs. Loss and Selectivity
પ્રશ્ન 4(બ OR) [4 માર્ક્સ]
કેપેસીટર માટે Quality factor નું સમીકરણ તારવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
મેળવણી:
| પગલું | વર્ણન | સમીકરણ |
|---|---|---|
| 1 | સંગ્રહિત ઊર્જા વ્યાખ્યાયિત કરો | Estored = CV²/2 |
| 2 | સાયકલ દીઠ ઊર્જા લોસ વ્યાખ્યાયિત કરો | Eloss = πCV²/ωCR = πV²/ωR |
| 3 | Q ફેક્ટર વ્યાખ્યાયિત કરો | Q = 2π × Estored / Eloss |
| 4 | સબસ્ટિટ્યૂટ કરો અને સિમ્પ્લિફાય કરો | Q = 2π × (CV²/2) ÷ (πV²/ωR) = ωCR |
ફાઈનલ ઈક્વેશન: Q = ωCR = 1/(ωRC) = 1/tanδ
જ્યાં:
- ω = એન્ગ્યુલર ફ્રિક્વન્સી (2πf)
- R = ઇક્વિવેલન્ટ સિરીઝ રેઝિસ્ટન્સ (ESR)
- C = કેપેસિટન્સ
- tanδ = ડિસિપેશન ફેક્ટર
મેમરી ટ્રીક: "CORE" - Capacitors' Quality equals One over Resistance times Capacitance
પ્રશ્ન 4(ક OR) [7 માર્ક્સ]
પેરેલલ રેઝોનન્સ સર્કિટની રેઝોનન્સ ફ્રિક્વન્સીનું સમીકરણ તારવો. R=30Ω, L=1H, C=1μF સાથે પેરેલલ RLC સર્કિટની રેઝોનન્ટ ફ્રિક્વન્સી, Q ફેક્ટર અને બેન્ડવિડ્થની ગણતરી કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
મેળવણી:
| પગલું | વર્ણન | સમીકરણ |
|---|---|---|
| 1 | પેરેલલ RLC ની એડમિટન્સ | Y = 1/R + 1/jωL + jωC |
| 2 | રેઝોનન્સ પર, Im(Y) = 0 | 1/jωL + jωC = 0 |
| 3 | રેઝોનન્ટ ફ્રિક્વન્સી માટે ઉકેલો | ω₀ = 1/√(LC) અથવા f₀ = 1/(2π√(LC)) |
ગણતરીઓ:
| પેરામીટર | ફોર્મ્યુલા | ગણતરી | પરિણામ |
|---|---|---|---|
| રેઝોનન્ટ ફ્રિક્વન્સી | f₀ = 1/(2π√(LC)) | f₀ = 1/(2π√(1×10⁻⁶)) | 159.15 Hz |
| Q ફેક્ટર | Q = R/ω₀L | Q = 30/(2π×159.15×1) | 0.03 |
| બેન્ડવિડ્થ | BW = f₀/Q | BW = 159.15/0.03 | 5305 Hz |
મેમરી ટ્રીક: "FPQB" - Frequency from Parallel elements, Q from Resistance divided by reactance, Bandwidth from division
પ્રશ્ન 5(અ) [3 માર્ક્સ]
T પ્રકાર એટેન્યુએટર સમજાવો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
T-પ્રકાર એટેન્યુએટર: T કોન્ફિગરેશનમાં સિગ્નલની એમ્પ્લિટ્યુડ ઘટાડવા માટે વપરાતું પેસિવ નેટવર્ક.
| કમ્પોનન્ટ | વર્ણન | ફોર્મ્યુલા |
|---|---|---|
| Z1, Z2 | સિરીઝ આર્મ્સ | Z1 = Z2 = Z₀(N-1)/(N+1) |
| Z3 | શન્ટ આર્મ | Z3 = 2Z₀/(N²-1) |
| N | એટેન્યુએશન રેશિયો | N = 10^(dB/20) |
- લક્ષણ: મેચ્ડ સોર્સ અને લોડ માટે સિમેટ્રિકલ
- ઉપયોગો: સિગ્નલ લેવલ કંટ્રોલ, ઇમ્પિડન્સ મેચિંગ
- ફાયદો: યોગ્ય ડિઝાઇન સાથે ઇમ્પિડન્સ મેચિંગ જાળવે છે
મેમરી ટ્રીક: "TSAR" - T-shape with Series Arms and Resistance in middle
પ્રશ્ન 5(બ) [4 માર્ક્સ]
વિવિધ પેસિવ ફિલ્ટર સર્કિટસનું વર્ગીકરણ કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| ફિલ્ટર પ્રકાર | કાર્ય | ટિપિકલ સર્કિટ | ઉપયોગો |
|---|---|---|---|
| લો પાસ | નીચી ફ્રિક્વન્સી પસાર કરે | RC, RL સર્કિટ્સ | ઓડિયો ફિલ્ટર્સ, પાવર સપ્લાય |
| હાઇ પાસ | ઊંચી ફ્રિક્વન્સી પસાર કરે | CR, LR સર્કિટ્સ | નોઇઝ ફિલ્ટરિંગ, સિગ્નલ કન્ડિશનિંગ |
| બેન્ડ પાસ | ફ્રિક્વન્સીનો બેન્ડ પસાર કરે | RLC સર્કિટ્સ | રેડિયો ટ્યુનિંગ, સિગ્નલ સિલેક્શન |
| બેન્ડ સ્ટોપ | ફ્રિક્વન્સીનો બેન્ડ બ્લોક કરે | પેરેલલ RLC | ઇન્ટરફેરન્સ રિજેક્શન |
મેમરી ટ્રીક: "LHBB" - Low High Band Band filters for Pass and Block
પ્રશ્ન 5(ક) [7 માર્ક્સ]
કટ ઓફ ફ્રિક્વન્સી=1000Hz અને 500Ω લોડ ધરાવતા T-section સાથે કોન્સ્ટન્ટ-k ટાઈપ લો પાસ અને હાઇ પાસ ફિલ્ટર ડિઝાઈન કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
ડિઝાઇન ગણતરીઓ:
કોન્સ્ટન્ટ-k T-ટાઇપ લો પાસ ફિલ્ટર માટે:
| પેરામીટર | ફોર્મ્યુલા | ગણતરી | મૂલ્ય |
|---|---|---|---|
| કટ-ઓફ ફ્રિક્વન્સી | fc = 1000 Hz | આપેલ | 1000 Hz |
| લોડ ઇમ્પિડન્સ | R₀ = 500 Ω | આપેલ | 500 Ω |
| સિરીઝ ઇન્ડક્ટર | L = R₀/πfc | L = 500/(π×1000) | 159.15 mH |
| હાલ્ફ સેક્શન્સ | L/2 | 159.15/2 | 79.58 mH |
| શન્ટ કેપેસિટર | C = 1/(πfcR₀) | C = 1/(π×1000×500) | 0.636 μF |
કોન્સ્ટન્ટ-k T-ટાઇપ હાઇ પાસ ફિલ્ટર માટે:
| પેરામીટર | ફોર્મ્યુલા | ગણતરી | મૂલ્ય |
|---|---|---|---|
| સિરીઝ કેપેસિટર | C = 1/(4πfcR₀) | C = 1/(4π×1000×500) | 0.159 μF |
| હાલ્ફ સેક્શન્સ | C/2 | 0.159/2 | 0.0795 μF |
| શન્ટ ઇન્ડક્ટર | L = R₀/(4πfc) | L = 500/(4π×1000) | 39.79 mH |
મેમરી ટ્રીક: "FRED" - Frequency Ratio determines Element Dimensions
પ્રશ્ન 5(અ OR) [3 માર્ક્સ]
π પ્રકાર એટેન્યુએટર સમજાઓ.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
π-પ્રકાર એટેન્યુએટર: π કોન્ફિગરેશનમાં સિગ્નલની એમ્પ્લિટ્યુડ ઘટાડવા માટે વપરાતું પેસિવ નેટવર્ક.
| કમ્પોનન્ટ | વર્ણન | ફોર્મ્યુલા |
|---|---|---|
| Z2 | સિરીઝ આર્મ | Z2 = 2Z₀/(N²-1) |
| Z1, Z3 | શન્ટ આર્મ્સ | Z1 = Z3 = Z₀(N+1)/(N-1) |
| N | એટેન્યુએશન રેશિયો | N = 10^(dB/20) |
- લક્ષણ: મેચ્ડ સોર્સ અને લોડ માટે સિમેટ્રિકલ
- ઉપયોગો: સિગ્નલ લેવલ કંટ્રોલ, ઇમ્પિડન્સ મેચિંગ
- ફાયદો: ઇનપુટ અને આઉટપુટ વચ્ચે સારું આઇસોલેશન
મેમરી ટ્રીક: "PASS" - Pi-Attenuator has Series in middle and Shunt arms outside
પ્રશ્ન 5(બ OR) [4 માર્ક્સ]
વિવિધ પ્રકારના એટેન્યુએટરનું વર્ગીકરણ કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
| એટેન્યુએટર પ્રકાર | લક્ષણો | ઉપયોગો | ફાયદા |
|---|---|---|---|
| T-પ્રકાર | સિરીઝ-શન્ટ-સિરીઝ | ઓડિયો સિસ્ટમ્સ | સરળ ડિઝાઇન |
| π-પ્રકાર | શન્ટ-સિરીઝ-શન્ટ | RF સર્કિટ્સ | વધુ સારું આઇસોલેશન |
| L-પ્રકાર | સિરીઝ-શન્ટ | સરળ મેચિંગ | ઇમ્પિડન્સ ટ્રાન્સફોર્મેશન |
| બ્રિજ્ડ-T | બેલેન્સ્ડ સ્ટ્રક્ચર | ટેસ્ટ ઇક્વિપમેન્ટ | મિનિમલ ડિસ્ટોર્શન |
| બેલેન્સ્ડ | સિમેટ્રિક ડ્યુઅલ પાથ | ડિફરેન્શિયલ સિગ્નલ્સ | કોમન મોડ રિજેક્શન |
મેમરી ટ્રીક: "TPLBV" - T, Pi, L, Bridged-T, and Variable attenuators
પ્રશ્ન 5(ક OR) [7 માર્ક્સ]
40dBનું એટેન્યુએશન આપવા અને 500Ω ના લોડમાં કામ કરવા માટે સપ્રમાણ T પ્રકારના એટેન્યુએટર અને π પ્રકારનું એટેન્યુએટર ડિઝાઇન કરો.
જવાબ:
આકૃતિ:
goat
ડિઝાઇન ગણતરીઓ:
| પગલું | ફોર્મ્યુલા | ગણતરી | મૂલ્ય |
|---|---|---|---|
| આપેલ | એટેન્યુએશન = 40 dB | - | 40 dB |
| પગલું 1 | N = 10^(dB/20) | 10^(40/20) | 100 |
| પગલું 2 | K = (N-1)/(N+1) | (100-1)/(100+1) | 0.98 |
T-પ્રકાર એટેન્યુએટર માટે:
| કમ્પોનન્ટ | ફોર્મ્યુલા | ગણતરી | મૂલ્ય |
|---|---|---|---|
| R₁ (સિરીઝ) | Z₀·K | 500 × 0.98 | 490 Ω |
| R₂ (શન્ટ) | Z₀/(K·(N-K)) | 500/(0.98×(100-0.98)) | 5.15 Ω |
π-પ્રકાર એટેન્યુએટર માટે:
| કમ્પોનન્ટ | ફોર્મ્યુલા | ગણતરી | મૂલ્ય |
|---|---|---|---|
| R₁ (શન્ટ) | Z₀/K | 500/0.98 | 510.2 Ω |
| R₂ (સિરીઝ) | Z₀·K·(N-K) | 500 × 0.98 × (100-0.98) | 48,541 Ω |
મેમરી ટ્રીક: "DANK" - dB Attenuation is Number K, which determines resistor values